415霍尔传感器概述.ppt

4.15 霍尔传感器 本节主要学习霍尔传感器 的工作原理、 霍尔集成电路 的 特性 及其在检测技术中的应用。 霍尔元件是 一种 四端元件 4.15.1 霍尔元件的结构及工作原理 半导体薄片置于磁感应强度为 B 的磁场中， 磁场方向垂直于薄片，当有电流 I 流过薄片时，在 垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势 E H ，这 种现象称为 霍尔效应 。 磁感应强度 B 为零时的情况 c d a b 磁感应强度 B 较大时的情况 作用在半导体薄片上的磁场强度 B 越强，霍尔电势 也就越高。霍尔电势 E H 可用下式表示： E H = K H IB 霍尔效应演示 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的 作用，向内侧（ d 侧）偏移，在半导体薄片 c 、 d 方 向的端面之间建立起霍尔电势。 c d a b 磁场不垂直于霍尔元件时的霍尔电动势 若磁感应强度 B 不垂直于霍尔元件，而是与其 法 线成某一角度 ? 时，实际上作用于霍尔元件上的 有效 磁感应强度 是其法线方向（与薄片垂直的方向）的分 量，即 B cos ? ，这时的 霍尔电势与法线的夹角的余弦 成正比 ： E H = K H IB cos ? 磁场不垂直于霍尔元件时的霍尔电动势演示 结论： 霍尔电势与输入电流 I 、磁感应强度 B 成正比。 当 B 的方向改变时，霍尔电势的方向也随之改变。 如果所施加的磁场为交变磁场，霍尔电势为同频率 的交变电势 。 a c d b 霍尔元件的主要外特性参数 最大磁感应强度 B M 上图所示霍尔元件的线性范围是 负的多少高斯 至正的多少高斯 ？（ 1T ＝ 10 4 Gs ） 霍尔元件的主要外特性参数（续） 最大激励电流 I M : 由于霍尔电势随激励电流增大而增大，故 在应用中总希望选用较大的激励电流。但激励 电流增大，霍尔元件的 功耗增大 ， 元件的温度 升高 ，从而 引起霍尔电势的温漂增大 ，因此每 种型号的元件均规定了相应的 最大激励电流 ， 它的数值从几毫安至十几毫安。 以下哪一个 激励电流的数值较为妥当 ？ 8 μ A 0.8mA 8mA 80mA 4.15.2 霍尔集成电路 霍尔集成电路可分为线性型和开关型两大类。 线性型集成电路是将霍尔元件和恒流源、线性差 动放大器等做在一个芯片上，输出电压为伏级，比直 接使用霍尔元件方便得多。较典型的线性型霍尔器件 如 UGN3501 等。 线性型三端 霍尔集成电路 开关型霍尔集成电路 开关型霍尔集成电路是将 霍尔元件 、 稳 压电路 、 放大器 、 施密特触发器 、 OC 门 （集 电极开路输出门）等电路做在同一个芯片上。 当外加磁场强度超过规定的工作点时， OC 门 由高阻态变为导通状态，输出变为低电平 ； 当 外加磁场强度低于释放点时， OC 门重新变 为高阻态，输出高电平 。较典型的开关型霍 尔器件如 UGN3020 等。 开关型霍尔集成电路 的外形及内部电路 OC 门 施密特 触发电路 双端输入、 单端输出运放 霍尔 元件 . Vcc 开关型霍尔集成电路 （ OC 门输出）的接线 请按以下电路，将下一页中的有关元件连接起来 . 开关型霍尔集成电路 与继电器的接线 ? 2019/8/13 14 开关型霍尔集成电路的史密特输出特性 回差越 大，抗振动 干扰能力就 越强。 当磁铁 从远到近地接近霍尔 IC ，到多少 特斯拉时输出翻转？当 磁铁从近到远地远离 霍尔 IC ，到多少特斯拉时输出 再次翻转 ？ 回 差为多少特斯拉 ？相当于多少高斯（ Gs ）？ 4.15.3 霍尔传感器的应用 霍尔电势是关于 I 、 B 、 ? 三个变量的函 数，即 E H = K H IB cos ? 。 利用这个关系可以使 其中两个量不变 ， 将 第三个量作为变量 ，或者固定其中一个量， 其余两个量都作为变量。这使得霍尔传感器 有许多用途。 霍尔传感器