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PW3407
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
GENERAL DESCRIPTION
The PW3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and
operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or
in other Switching application.
FEATURES
VDS = -30V,ID = -4.2A
RDS(ON) < 65mΩ @ VGS= -10V M
RDS(ON) < 90mΩ @ VGS=-4.5V
Available in a 3-Pin SOT23-3 Package O
C
.
SOT-23-3L
(TOP VIEW) P
I
D
H D
C
A7 9 T
W
G
P S
G S .
Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted)
W
Symbol Parameter Rating Units
VDS Drain-Source Voltage -30 V
W
VGS Gate-Source Voltage ±20 V
1
I @T =25℃ Continuous Drain C
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