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摘 要
摘 要
一
互 生 子, 通 输
托卡马克等离子体与装 第 壁材料的相 作用会产 杂质粒 并 过
置
运 入 子 , 这 子 生 子
芯部等离 体 会稀 聚变等离 体同时产 大量辐射造成等离 体能
进 释
, 重 胁 置 。 Z ( )
运 水平 安全 由于高 材料 如钼和钨等 具有高
量损失 严 威 装 的 行 与
及 溅 , 已 一 。 Z 材料
熔点 以 低 射率等优点 成为托卡马克第 壁材料的首选 但是与低
芯 ,
比, Z 生 生 , 且 有 高 冷 率 因而
相 高 材料产 的杂质会更容 易发 聚 现象 具 更 的 却
造成 。 Z 子 芯 运 以
更严重的辐射功率损失 因 研究高 杂质在等离 体 部的输 机制
此
探 芯 Z 至 重 。
及 质 主动控制 关 要
索 部高 杂 的
运 之一。 基
上测 研宄 质 的重要途径 本文 于
托卡马克 量杂质行为的诊断是 杂 输
T UV 一 研 。
E S ( E ) 开 了 系 先利 不 绝对标
A 新发展的极紫外 光谱仪 展 列 究 首 用 同
S 子 子
强 , EA T 温
定 法 该谱仪在不 同波段进行绝对 度标定 并结合 等离 体 电 度
方 对
子 量, 和 Z , 现了EAST
和 电 密度等测 发展了快速 高效的高 杂质浓度计算方法 实
Z 监 EAST Z
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