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2005 年9
DRAM Flash Memory
SIA WSTS GD iSuppli Q205 2005
年年率落 6% DRAM
異 狀樂 DRAM 年 6~10% 率
10% DRAM數 12 Fab
度 90nm/100nm 良率 DRAM
NAND例 數 3G
DRAM 度 Longhorn
PC DRAM量
Flash Memory NAND Flash 2005~2007 年
率DRAM Flash Memory
來 RS3 (行 ) 數料
不 NAND Flash MLC (Multi
Layer Capacitor)Flash
ASP滑 力NAND Flash
MLC領Toshiba 12” fab(SANDISK
) 量 NAND 率50% Samsung
了12” fab NAND (Line12 Line14)MLC
70nm 降 NAND Flash
ASP 2006 年滑
IC 流
流 (FT Final testing)
FT 4 : FT1 Burn-in FT2 FT3(見) DRAM
DRAM 粒行 力 DRAM
行 Speed Testing FT3行( UTT/ETT
粒 After Market Clone PC DRAM
1
) 良率 立 DRAM 廉
UTT 粒()
IC流
Wafer Sort
FT1 FT2 FT3
Burn-in
Pre burn-in test Post burn-in test Speed test
DDR II 率 400MHz (110nm 流 533MHz 90nm
流 667MHz) DRAM 流Advantest T5585 率
400MHz 度 FT3 T5593( 1GHz)
T5588(800MHz) T5585 FT1 FT2 Function
Test 不 DRAM
FT3不 Advantest T5593 1.5
~2
DDR II uBGA Window BGA利 Tessera
(Nasdaq NM: TSRA) Tessera 利 錄(vs.
) 利
利
TSOP DDR IIAfter Market
(667M Hz)
IC
2005-2008 DRAM 異
不 2005-2006 年DRAM Flash 粒
2
數 DRAM DDR I DDR II
IEK 2005 年率
9% 率DRAM
DDR II
來 契
DDR II DRAM
DDR II Cost20%
15%
u BGA
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