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第九章 基本光刻工艺流程 - 曝光到最终检验 概述 在本章，将解释从光刻胶的显影到最终检验所使用的基本方法。本章末尾将涉及膜 版工艺的使用和定位错误的讨论。 目的 完成本章后您将能够： 划出晶圆在显影之前及之后的剖面图。 列出显影的方法。 解释硬烘焙的方法和作用。 列出晶圆在显影检验时被拒绝的至少五个原因 划出显影 -检验 -重做工作过程的示意图。 解释湿法刻蚀和干法刻蚀的方法和优缺点。 列出从氧化膜和金属膜上去除光刻胶的机器 解释最终检验的方法和作用。 显影 晶圆完成定位和曝光后，器件或电路的图案被以曝光和未曝光区域的形式记录在光 刻胶上（图 9.1 ）。通过对未聚合光刻胶的化学分解来使图案显影。显影技术被设 计成使之把完全一样的膜版上图案复制到光刻胶上。不良的显影工艺造成的问题是 不完全显影，它会导致开孔的不正确尺寸，或使开孔的侧面内凹。在某些情况下， 显影不够深而在开孔内留下一层光刻胶。第三个问题是过显影它会过多地从图形边 缘或表面上去除光刻胶。 要在保证开孔的直径一致和由于清洗深孔时液体不易进 入而造成的清洗困难的情况下保持具有良好形状的开孔是一个特殊的挑战。 负和正的光刻胶有不同的显影性质并要求不同的化学品和工艺。 负光刻胶显影 在光刻胶上成功地使图案显影要依靠光刻胶的曝光机理。负光刻胶暴露在光时会有 一个聚合的过程它会导致光刻胶聚合在显影液中分解。在两个区域间有足够高的分 解率以使聚合的区域只失去很小部分光刻胶。 对于大多数的负光刻胶显影二甲苯 是受欢迎的化学品。它也在作负光刻胶中作溶液使用。显影完成前还要进行冲洗。 对于负光刻胶，通常使用 n- 丁基醋酸盐作为冲洗化学品，因为它既不会使光刻胶 膨胀也不会使之收缩，从而不会导致图案尺寸的改变。用光刻机刻图案的晶圆， 可能使用一种性质较温和的STODDAR溶剂。 俯视 表层 光刻胶 正确曝光 光不足 曝 曝光后 不完全曝光 严重 显影后 过曝光 (a) (b) 图9.1光刻胶显影 （a）过程（b）问题 正光刻胶 负光刻胶 显影剂 NaOH Xyle ne TMAH Stoddard 溶剂 冲洗 水 n- 醋酸丁酯 图9.2光刻胶显影剂和冲洗用化学品 冲洗的作用是双重的。第一，它快速地稀释显影液。虽然聚合的光刻胶不会被 显影液分解，但在曝光的边缘总会有一个过度区其中包含部分聚合的分子。如果显 影液留在表面上便会溶解这部分区域而改变图案尺寸。第二，冲洗可去除在开孔区 少量部分聚合的光刻胶。 开发全部为水成分的负光刻胶显影系统一直是半导体工业的一个目标。从工厂 中消除有机溶剂减少安全系统和减少处理或排放化学品的费用。到目前，只取得了 很小的可接受的成功。 正光刻胶显影 正光刻胶有不同的显影条件。两个区域，聚合的和未聚合的区域，有不同的溶解率 约1:4。这意味着在显影中总会从聚合的区域失去一些光刻胶。使用过度的显影液 或显影时间过长可以导致光刻胶太薄而不能使用。结果有可能导致在刻蚀中翘起或 断裂。 有两种类型的化学显影液用于正光刻胶，碱 -水溶液和非离子溶液。碱-水溶液 可以是氢氧化钠或氢氧化钾。 因为这两种溶液都含有离子污染物， 所以在制造敏 未聚合的光刻胶 图9.3在光刻胶图案边缘的过度区 正光刻胶的显影工艺比负光刻胶更为敏感。1影响结果的因素是软烘焙时间和 温度、曝光度、显影液浓度、时间、温度、及显影方法。显影工艺参数由所有变量 的测试决定。图9.4显示了对于一个特定的工艺参数对线宽的影响。 湿法显影 有几个方法用于光刻胶显影（图 9.5 ）。方法的选择依据光刻胶极性、特征图形尺 寸、缺陷密度的考虑、要刻蚀层的厚度及产能。 20-S曝光 16-S曝光 12-S曝光 8-S曝光 光刻胶厚度 持续曝光时间：50S （基于68华氏度的8秒曝光） 显影剂浓度:50% 线宽变化 线宽变化 显影剂温度（华氏） 图9.4显影剂温度和曝光关系与线宽变化的比较 **沉浸 **喷射 **PUDDLE 图9.5显影方法 沉浸。沉浸是最古老的显影方法。在耐化学腐蚀的传输器中的晶圆被放进盛有显 影液的池中呆上一定的时间然后再被放入加有化学冲洗液的池中进行冲洗（图 9.6 ）。这种方法的问题如下： 液体的表面张力阻止了化学液体进入微小开孔区。 部分溶解的光刻胶块儿会粘在晶圆表面。 很多晶圆处理过后化学液池会被污染 当晶圆被提出化学液面时会被污染 显影液（特别是正显影液）随着使用会被稀释 为了消除1, 2, 3的问题需要经常更换化学液从而增加了成本。 室温的拨动改变溶液的显影率 晶圆必须迅速地送到下一步进行干燥这就增加了一个工艺步骤。 经常在化学液池上增加附属方法来提高显影工艺。用通过使用机械搅动的办法来辅 助增加均匀性和对微小开孔区的渗透。一种流行的系统是使用置于池内的 TEFLON 密封的磁