电光效应方案.ppt

（一）载流子注入式场致发光效应 ? １９２３年劳苏（Ｏ．Ｗ．ｌａｓｓｅ ｗ）在对碳化硅晶体进行研究时，观察 到了场致发光现象。后来，人们在锗、 硅、磷化镓等许多晶体的Ｐ－Ｎ 结观察 到了持续的场致发光。Ｐ－Ｎ 有 同质结 、 异质结 之分，下面分别讨论， ? 激发的方式多种多样，依激发方式不同可将发 光分为 光致发光 、 电（场）致发光 、 化学发光 等。 从能量角度看，发光是将其它能量转变成光能的 过程。场致发光是指发光材料在电场作用下的发 光。是电能转变为光辐射能的过程 . （１）同质结注入 ? 同种本征半导体单晶 通过掺杂成为 N 型和Ｐ 型，让其相互接触便成 为同质结。Ｐ－Ｎ结区 是势垒区，其能带如图 ２－１５（ａ）所示。 ? 不加电压时， P 区和Ｎ区的多数载流子空穴和电子，被 结区势垒阻挡无净流动。若给 P － N 结加正向电压，这 时势垒降低，势垒区变窄。 N 区的多数载流子 —— 电子注 入Ｐ区；Ｐ区的多数载流子 —— 空穴注入 N 区。空穴在 N 区，电子在 P 区为少数载流子。 ? 掺杂本征半导体注入的少数载流子与该区的多数载流于 复合，相当电子从导带跃迁到价带，从而辐射出光子 h ν 。 （２）异质结注入 ? P 区和 N 区是由不同本征半 导体单晶掺杂而成，如图 ２－１６（ａ）所示， 它 们的禁带宽度不同，Ｐ型 区和Ｎ型区接触后，对空 穴和对电于的势垒高度不 同。 ? 如图２－１６（ｂ）所示， 当给 P － N 结加上正向电压时 ， 对Ｐ区 的空穴不存在势垒，不断向Ｎ区 扩散，形成空穴流，注入的空穴 与 N 区电子复合发光。 对于Ｎ区的 电子，相对 P 区仍存在势垒，其势 垒高于两种材料的禁带宽度之差。 ? N 区的电子不能注入 P 区。这样，禁带宽的Ｐ区就成了注入 空穴的源。禁带窄的Ｎ区成了发光区。 发光二极管（ＬＥＤ） ? 载流子注入场致发光效应最流行的应用是制作发光 二极管（ＬＥＤ），用来发射可见光和红外光。由于 LED 具有工作电压低、功耗小、寿命长等优点，使它 在固体显示中已居主导地位，广泛用于电子计算机、 各种仪器仪表中的指示灯，数字、符号的显示器。作 为光通信和各种检测、监控设备的光源，ＬＥＤ也是 光电耦合器中不可少的部件。 目前制做ＬＥＤ的材料，用得最多的是Ⅲ一Ⅴ族化合 物半导体。二元化合物中，ＧａＡｓ用来做红外ＬＥ Ｄ ，ＧａＰ主要用来做红光（ＧａＰ：ＺｎＯ）、 绿光（ GaP ： N ）和黄光（ GaP ： N ） LED 。用来做 LED 的三 元化合物有ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＡｓ等。 ＬＥＤ发射的是非相关光， 为了获得相干光，人们又利用这 个效应制作出了小巧的半导体激 光器。 P 一 N 结正向注入式半导体 激光器的基本结构如图 2-17 所示。 与一般二极管一样，它也是由Ｐ －Ｎ结构成， 不同的是有两个垂 直于Ｐ－Ｎ结的反射面，以构成 光谐振腔。 ＬＥＤ半导体激光器 要产生受激辐射 —— 激光，必须满足三个条件： ◆ 粒子按能级分布数反转， ◆ 具备光谐振腔， ◆ 泵浦功率超过确定的域值。 在平衡态下，粒子总是趋向于分布在低能级，所以 高能级粒子比低能级分布的粒子少，所谓 “粒子数分布 反转”是说高能级的粒子比低能级分布的多 。对半导体 激光器，涉及的是能带材料，电子服从费米分布。 粒子数反转不是说整个导带的电子数大于整个价带的 电子数，而是 紧靠导带底上面能区的电子数多于紧靠价 带顶下面能区的电子数 。 为此，对于材料来说，需要在 Ｐ区和Ｎ区进行高掺杂。 光谐振腔对发射的光波起选择作用，使其共振频率在 谐振腔中形成稳定的振荡，而其它的被抑制掉。 即使材 料具备形成粒子数反转的条件，也不等于实现和维持了 粒子数分布的反转。 还要 有一个能源将粒子从低能级泵浦到高能级去， 泵 浦功率太小，粒于数反转仍不能实现和维持，这时仍是 自发辐射非相干光。 只有泵浦功率（这里是流过二极管的电流Ｉ）超过 临界域值才能真正实现和维持住粒子数反转，从而产生 受激辐射 —— 激光。 半导体激光器特点与发展现状 ? 半导体激光器是在１９６２年发明的，由于体积小和能进行 高频调制，成了光纤通讯的主要光源，用ＩｎＧａＡｌＰ四元 半导体制作的波长：１．３～１．５ μm 的半导体激光器主要 用于光通讯 。 用ＡｌＧａＡｓ双异质结做的半导体激光器， 发射波长 750 ～ 890nm 的激光、广泛用于激光打印、光盘及家 用电器中。半导体激光器不但可产生红外光，也可产生可见光。 用ＩｎＧａＡｌＰ材料的异质结和量子阱做成的激光器波长为 670