海思官方很大按需下载hi3521dv100硬件设计用户指南.pdf

Hi3521DV100 硬件设计 用户指南 文档版本 00B04 发布日期 2017-11-20 所有 © 深圳市海思半导体 2017。保留一切权利。 商标声明 、海思和其他海思商标均为深圳市海思半导体 的商标。 本文档提及的其他所有商标或 商标，由各自的所有人拥有。 注意 您购买的产品、服务或特性等应受海思公司商业合同和条款的约束，本文档中描述的全部或部分产 品、服务或特性可能不在您的购买或使用范围之内。除非合同另有约定，海思公司对本文档内容不 做任何明示或默示的声明或保证。 由于产品版本升级或其他原因，本文档内容会不定期进行更新。除非另有约定，本文档仅作为使用 指导，本文档中的所有陈述 、和建议不构成任何明示或暗示的担保。 深圳市海思半导体 地址： 深圳市龙岗区坂田 电气生产中心 邮编：518129 ： 客户服务电话： +86-755 客户服务传真： +86-755 客户服务邮箱： support@hisilicon. Hi3521DV100 硬件设计用户指南 用户指南 前 言 前 言 概述 本文档主要介绍 Hi3521DV100 芯片方案的硬件原理图设计 PCB 设计、单板热设计建 议等。 本文档提供 Hi3521DV100 芯片的硬件设计方法。 产品版本 与本文档相对应的产品版本如下。 产品名称 产品版本 Hi3521D V100 读者对象 本文档（本指南）主要适用于以下工程师： 技术支持工程师 单板硬件开发工程师 修订记录 修订记录累积了每次文档更新的说明。最新版本的文档包含以前所有文档版本的更新 内容。 海思专有和保密 文档版本 00B04 (2017-11-20) iii 所有 © 深圳市海思半导 Hi3521DV100 硬件设计用户指南 用户指南 前 言 修订日期 版本 修订说明 2017-11-20 00B04 第 4 次临时版本发布 1.1.5 小节和 1.2.9.2 小节和 1.3.2 小节，涉及刷新。 1.3.1 小节，表 1-8 涉及刷新。 新增 1.3.3 小节内容。 修改第 4 章节内容。 2017-06-15 00B03 第 3 次临时版本发布 1.1.3 小节 1.1.5 小节 1.2.4.2 小节 1.2.7.2 小节