[整理]各种光电耦合器参数.pdfVIP

常用参数 正向压降 VF ：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。 正向电流 IF ：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。 反向电流 IR ：在被测管两端加规定反向工作电压 VR 时，二极管中流过的电流。 反向击穿电压 VBR ：：被测管通过的反向电流 IR 为规定值时，在两极间所产生的电压降。 结电容 CJ ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。 反向击穿电压 V(BR)CEO ：发光二极管开路，集电极电流 IC 为规定值，集电极与发射集间 的电压降。 输出饱和压降 VCE(sat) ：发光二极管工作电流 IF 和集电极电流 IC 为规定值时，并保持 IC/IF ≤CTRmin时（ CTRmin 在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。 反向截止电流 ICEO ：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极 的电流为反向截止电流。 电流传输比 CTR ：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为 电流传输比 CTR 。 脉冲上升时间 tr 、下降时间 tf ：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流 IFP 的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的 10% 到 90% ，所需时间 为脉冲上升时间 tr 。从输出脉冲后沿幅度的 90% 到 10% ，所需时间为脉冲下降时间 tf 。 传输延迟时间 tPHL 、tPLH ：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流 IFP 的 脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输入脉冲前沿幅度的 50% 到输出脉冲电平下降 到 1.5V 时所需时间为传输延迟时间 tPHL 。从输入脉冲后沿幅度的 50% 到输出脉冲电平上 升到 1.5V 时所需时间为传输延迟时间 tPLH 。 入出间隔离电容 CIO ：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。 入出间隔离电阻 RIO ：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。 入出间隔离电压 VIO ：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。 最大额定值 参数名称 符号 最大额定值 单位 V 反向电压 5 V R I 正向电流 50 mA FM V 集- 发击穿电压 100 V （BR ）CEO I 集电极电流 30 mA CM T 贮存温度 -55 ～ 150 ℃ stg T 工作温度 -55 ～ 125 ℃ amb V 隔离电压 1000 V IO P 总耗散功率 80 mW tot 推荐工作条件 特 性 符号 最小值 典型值 最大值 单位 I 输入电流 10 50 mA F V 电源电压 1 5 60 V 主要光电特性 测试条件 (T 特 性 符 号 11 A=25 ℃ ±3 ℃ ) 最小 典型 最大 单位 隔离 特性 隔离电阻 RIO VIO=500V 1010 Ω 上升时间 tr 10 μs V 开关 特性 下降时间 tf CC=5V ，IFP=10mA ，RL=360Ωf=10kHz ，D ： 1/2 10 μs I V 反向电流 R R=5V 0.01 1.0 μA LED 输入特性 V I 正向电压 F F=10mA 1.2 1.4 V CTR 电流传输比 VCC=5V ，IF=10mA ，RL=200Ω 60 180 % 集- 发饱和电压 VCE （sat ） VCC=5V ，IF=10mA ，RL=4.7k Ω 0.1 0.4 V 晶体管