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精品文档 精品文档 随意编辑 随意编辑 精品文档有机场效应晶体管的结构和工作原理 精品文档 有机场效应晶体管的结构和工作原理 随意编辑 随意编辑 晶休管是20世纪一项祎大的发明，自从I960年贝尔实验議成功地研制出建界上首 卜堆HI以的场址阿估休命 此乩 虬：Ai机半导体■:出址El柏旳化錄丿的场效危晶 怖勢便謀深的龙响普人类的怕息与通牯技术.但是.无机吐技术成片;高?工艺也很臭杂 柱往需要非常严格的操作环境.欝大面积的工业化生产带来了團扰°沖力年，Hteger 等人山冇次发现了番乙炕统过掺陽后能館导电.就悅了世界?打就了人们认为豔合拘恳 绝缘休的固有看法?累惊之余，科学家们对有机半导林的痕用井始了努力的探盍和 19阳年、Tsumura等人国首抉报道了基于有机华导体鑒唾吩的柑机薄膜场效应艄休管、 引起了 AJ］很大的研究兴趣.与传统的无机场效应晶体管相比.有机薄膜场效应晶烛管 的工艺简駅，成本低，加工渲度低.通常在用0C左右.适用于棗性基底.而且藕JB的 成離技术务年化?器件的尺寸可以做到更小.辭件的性能可以通过检饰有机分子的结梅 而得到提蒲，由全有机材料制备的场效两晶悴管由于具有良好的柔性可通过印刷技术咒 现大面枳的生产」习有机薄膜场披应鼎体管的应用非常广泛.也括柔性智能匚射频标 签.驰动显乐器等等° 15 从有机葡膜晶怵宦的诞生到现在.经过几I啷的发展，有机场效应管的研咒己经取 得了很大的进步，许名P醴有机半导怵材料的迁移幸可以与无定型硅相醸芙达到可以实 际应用的水平叫5例如.基于井五苯尝晶清膜的有机场效应晶体管空宣迁移率可以达 到11,1而基F红荧烯单鼎的有机场牧陶品休管空兀迁穆率甚至町以达到1工4 刃作为沟建逻卅互卄电路和灯杈阳休倉至关巫耍的组底斜分” N型fjttlT导 休材料的研完最近几年才引起科学家的热切关注,无论是材料的种类还是性能相比f P 型有机半导休材料都嬰逊芭不少.这主藝是肉为N熨有机场效应晶怵管中超主导作用的 栽范子是电子.电子在传输过程中很容易輕塑弐申的水和氧吒播获」山川丨前轩决这一 问聽的主娶方法是通过在分子中引入一些遐吸电子基团，例如￡N?-J\ ￡8…CONH 筹来障低好子的LAJMO能级以増加材料餉稳定性.同时，通过引入强戦电子基团 堀加材料的帝和勢可以提髙半导体材料与髙功函金属电极乙间的匹罷.降低电子从源极 汪入半导侔M料的聆举■对外，也可以迪过增强共规廿于Z何的相盯?作川和提窗甘于啊 堆积的紧密性防止水和氧气的洼入来增加材料的稳定14和提髙电子的迁移率.息而言匕? 戡至口前为止.关丁具胃优随性能的N型半导体材料报道的述不藝?因此设计和卄发 出具存口妤的空气稳定性和高的电子迁移率的N型荷机半导体材料垦?个很兀的挟战 同时耳冇恨深剜的意乂. 含过渡金属钳Pl（ II）缺基的骤合物广泛应用于发光,取光子感像.光伏和基于磷 光的传處器尊」”叫目接将富电子將金属和Pit 1【）炊引入刘共馳休条申不仅桃增加电 子商三线态的转移.而冃分子内电荷转移＜ICT＞也会得到握高?这是由于当金属与块菇 锻兀其他时，円金鴉原子的d轨道与OC单兀的吐筑道取輕利于电子的离域」跚燥F 金讯烘类聚合物的f j帆场泄应品休宦虽塑J艮逍的個小* 01界.这种iJi俚性聚介物的陵展 tm I仃机场散应|IM朮菅的应用. 有匸I场效h；；品佯诗由三个电懂即泅機伽”讥?卜:iMSriim）极、训磁（giKvJ.有机半导 休匸和栅绝缘/组成.根陽器件的牯构，育机场就应晶体管可以分为四类：底捌底接触 忧、顶欄顶接鮭工j顶欄底接■式和底欄硕接融式era i）D辰柵和顶欄泉根据橱极的位 灵浓划伶?底搁是删横沉机征刪绝绿层的下方.顶栅兄栅极沉积在荷机屮导你和绝绿层 匕方；而顶接触和底接触是根据有机半导体和源漏电极的位置来划分.顶接触足有机半 导体先生长程（?第域层上再逬行期湘电极的沉积.而脱接絶是有机半导体的基桂泉源漏 电极和攔绝绿层.不同加彩件貉构会引起不同的戟流子注入方式和器件性能.比如在底 栅底接艇屮，截流子可及直接从电橄辺绿汪入仔电詢逋中，而在底栅用接駅中.ftinr- 导体把源漏电极和导电沟道隔开.从电极酎导电洵道注入的载流子必须穿过有机半导怵 层才能到达导电沟道中.这样根有可能会増加接融电阻而导致栽流子的注入效率降低、 但込这种结构的黠件由F电极与有机半导体的接触面机相对牧大.在有机半导1+层根薄 的悄况下.接钟电阳庄而变得很小：刀外*山「顶接触足存机半导悴村料fl接沉枳在绝 撫层上，膜的质足也比较优质.內此器件的杵能比底接融的较好一些.但是从制作器件 的匸土扪hi考虑?顷接触楚源涮电极机积在有机芈导体稠膜上.恨可能対有机半导怵引 起?些负而粧响.比如砒坏仃帆字#祢的结构墀*另…方而.顶接融簿件尺寸和生成度 不能做到比底接触的