半导体习题集.docx

第六章半导体 若某半导体样品呈现出本征行为，这是否意味着它必定是纯净的？ 解：半导体样品呈现本征行为是指其导带中电子的浓度等于其价带中空穴的的浓度， 由 此可知，在4价的硅和锗中，掺入一些5价的磷或砷等杂质原子， 同时还掺入一些3价的硼 或铝等杂质原子，则该化合物半导体的导带中电子的浓度有可能也等于其价带中空穴的浓 度，从而呈现本征行为，所以某半导体样品呈现出本征行为，并不意味着它必定是纯净的。 半导体禁带中的束缚能级是怎样形成的？试举例说明。 解：在4价的硅或锗元素中加入一些 5价的磷或砷元素以形成 N型半导体。在此半导 体中，5价的杂质原子替代 4价的硅或锗原子后，用 4个价电子与周围的 4个近邻原子形成 共价键，尚还有一个多余的电子，从而此5价原子便形成了施主。由于施主比原来原子也多 一个正电荷，多余正电荷正好束缚多余的电子， 就如同一个氢原子束缚一个电子的情况， 因 而人们称这种半导体禁带中的束缚能级为类氢杂质能级。对于氢原子有如下的波动的方程： 一2 一2 [―■ 2m 得出能量本征值 4mq2-2 4 mq 2-2 n - 1， 2， 3， 相应基态波函数为 ：（r）二 Ce0 其中C为归一化常数,a 其中C为归一化常数, ao称为波尔半径, 4兀 ao = 2 mq 二 0.52A 考虑到类氢施主杂质处在晶体中，所以要考虑到晶体介电常数；的影响及晶格势场的作 用，则类氢施主杂质原子的波动方程将变为 一2 q2 f—r（「）i 其能量本征值变为 m* （q2 / ；）2 _8二 22；2n2 n = 1，2，3, 其基态波函数变为 「（r） =Cea 其中 由于有效质量m* ::: m ,；远大于1所以类氢施主杂质的束缚能只有百分之几电子伏 的数量级，比氢原子的束缚能小得多，而类氢施主杂质的波函数相对于氢原子的波函数是相 当扩展的。 3?试描述施主与受主的电离过程。 解：在N型半导体中，5价的磷或砷等杂质原子替代 4价的硅或锗原子后，用4个价电 子与周围4个近邻原子形成共价键， 还有一个多余的价电子， 这个电子可以从杂质原子上电 离出来进入晶体的导带。这种 5价的杂质原子电离后成为带正电的离子，称为施主。 在P型半导体中，3价的硼或铝等杂质原子替代 4价的硅或锗的位置， 需要从价带中吸 取一个电子才能与周围的 4个近邻原子形成4个共价键，而杂质原子则成了带负电的离子， 此带负电离子即称为受主。 4?试说明半导体的载流子服从波尔兹曼的物理原因。 解：因为按照能带理论中的准经典近似，半导体中的价电子可以看成是有效质量为 m* 在热平衡状态下，导带电子 在热平衡状态下，导带电子 （1） Ef位于带隙内，而且距离 f(E)=(E _E f(E) =(E _EF)/(kBT) e 由于在一般的半导体中（杂质不是太多的情况），费米能级 导带底E 或满带顶E .的距离往往比kbT大很多: E —-Ef kBT ， Ef - E亠 AA kBT 由于E-E 由于 E-Ef E_-Ef bT 因而（1 ）式中的分母指数项远大于 1,因此近似地有 f(E) ：dE斗/(kBT) 这表明导带中电子很接近经典的波尔兹曼分布。 也就是不为电子所占据的几率,满带中空穴的情况也类似。 满带能级为空穴占据的几率, 可以写成 也就是不为电子所占据的几率, 1 - f(E)二1 - e(E~EF”(kBT) +1 e（E号）如） e(E_EF(kBT). 1 1 . e(EF -E)/(kBT) 由于 Ef - E、Ef - E 亠 kgT 所以 1_f（E）：飞住宀2） 这表明空穴几率随能量增加按波尔兹曼统计的指数规律减少。 为什么要引入扩散长度及寿命这 2个物理量？ 解：当半导体晶体受到某种外界作用 (如电场或光照等) 而被激发时，半导体就处于非 平衡状态。此时，电子浓度 n和空穴浓度p便不服从关系式 p0n0 = n： = NcNveAg^BT)， 而半导体晶体中将会产生一定数量的非平衡载流子。 均匀半导体内的平衡载流子浓度处处相同， 而非平衡载流子浓度却是位置的函数， 即半 导体的表面与体内存在非平衡载流子浓度的梯度， 其方向是由体内指向表面。 为表征非平衡 载流子扩散进入半导体的平均深度，特引入扩散长度 Lh物理量，它表示非平衡载流子的体 内浓度减少到表面处的 1/e时距表面的距离。 非平衡载流子随外界的作用而产生， 亦随外界作用的撤离而消失。 但是经实验证明，外 界作用撤离后，半导体不是马上回复到平衡状态， 而是逐渐回复，非平衡载流子不是马上消 失，而是通过复合逐渐消失。为表征非平衡载流子随外界作用撤离后而复合的时间延迟程度， 特引入了寿命物理量，它表示在外界作用撤离后，非平衡载流子的浓度减少到其初始值的 1/e时所需要的时间