半导体二极管激光器光学分析.docx

$%%年 $ $%%年 $月 不产生粒子数反W6,在我们的情 况下!脉冲间的振动能级激发有效 图！不同成份的0 - V 0 图！不同成份的 0 - V 0 Q 0 【1 ■ Q.O IU 0.015 0.020 0.025 #$% $% 混合气体的复合放电抽运时的效率的相对增量与纳秒 源功率！)*与自持放电功率！比值的关系 地支持自持放电“ 因此!在自持放电上叠加纳秒 电短脉冲是提高横向自持放电# 激光器抽运效率有前途的方I而 无需改变它的结构这可以提高激 光效率并在使用高含量氮的无氦 混合气体中用简单电极非分段 电 极8工作时没有放电收缩在这 种 情况下！改善了激光器的工作特 效率增大！ 效率增大！增量达到001由图# 和图2可以看岀！在脉冲电离情况 下!使用氮含量大的混合气体是有 生电离！在非自持放电中不会发 性#增大了电流调节范围简化了 生”如果复合非自持放电中电脉冲 放电点燃并在大电流时提高了放 重复率较低！在某时间间隔内电子 电的稳定性和均匀性 利的 利的在自持放电中！脉冲间也发 密度会降低到这种程度！以致34$ 参考文献 !#$% (+ *#+,- . /+ )012$3 / .) 456! !9:$++!,;** $ *370#- 6 8+ 9$:02- .)+ ;=32$3 . # $% ;-03: -0? @#2=7320+ *9:#+ -;*0!9 2 60+:- . A+ B012 - . C) ;-03: -0? @#2=7320+ *9+ .;#!# ! C-03D32 8 C+ ;7013$33$2- . .+ )3:07- 8 A) @#2=7:%320+ !*9:+ 7**8;2 0 .0$#?2 E F+ ;GHD32 / .+ ;+I7?-J- 6 6 # $% 456 !*99!++/.;#?2 ? K7- . .+ -+7D32$L / .+ )012$3 / .) ()(! *99+ +,0#0% 白光编译 )*+,-.!/ 提要@ /.AB ,) CD((!99年诞生在美国康涅狄格州的纽黑文 从加州理工学院毕业后进入通用电器研究发展中心工 作 9?$年!CD((在半导体结中实现了粒子数反转！创建了第一台半导体结激光器这种器件!根据特殊设计的EFG结!用 电流将电子直接注入结中运行！因此允许从紧凑的发射源以高效率产生相干光 用于如3H$HH 电流将电子直接注入结中运行！因此允许从紧凑的发射源以高效率产生相干光 用于如3H$HH显示器$激光打印机和光纤通讯系统等领域 当今!以CD(( 原始思想工作的二极管激光 器!广泛地应 关键词半导体二极管激光器 EFG结 应用 +引言 本文将描述二极管激光器发 射光束的基本特性 ！讨论分析和调 整这种光束的方法”用一对柱面透 镜将光束准直和成形是一种简单 灵活的方法！不仅可以用于二极管 激光器！而且也可用于光纤发射的 光束 $二极管激光器特性 半导体二极管激光器结构如 图“所示!它由增益层7仅几十个纳 米厚8和包围它的导向层组成！导向 层起限定激光模式作用“导向层折 射率略大于周围区域 7基质和盖板8 折射率!通过内全反射限定激光模 式“通过几个微米宽的金属条状正 电极注入电流！由结对面的基板 7接 地电极8收集“在正电极底下的粒 子数反转和增益最强！沿*轴随着 距电极中心线距离增加！增益逐渐 向侧面变弱“在增益导向激光器 中！这种增益渐变对侧向光束限定 是很重要的“为比较起见！在折射 率导向激光器中！将导波带相邻区 域选择性地刻蚀掉！然后以低折射 率覆盖材料代替“ 一般地说！增益 层有高吸收的区域！不直接在电极 底下！因此经受的抽运弱 ！或完全 无抽运“除了杂质和界面上的散射 损失外！导向层基本是透明的！基 收稿日期0 $%%2F%F! ? 1994-2008 Chin;i Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved, $%%年$月 -./) $%%! 图”为限定激光模！用导向层包围激活层组成半导体二极管激光器”通过正电极注入 电流!由在结对面的接地电极收集电流 质和覆盖层也是高透明的 “ 图$表示在单横模二极管激 光器0! %123%456前方的强度和相 位分布图“在结平面光束发散角 7半高全宽8是”!19! !与结垂直方 向是1:;!在图$上方一行的图 0 #$% /8中!显示光束没有像散！在 激光器前方的相位分布均匀 “在中 间一行的图0=$%8!像散距离7定义在自由空间中水平束腰和垂直 束腰之间的等价距离 8 是#! 1 *%!5 !沿 轴轻微展宽光束！相位 波前发散！其峰？谷变化7即束的边 缘到中心8是@*$%!在底行图 7. $