第9章-现代CMOS工艺基本流程.pptVIP

2021/3/26 * 信息领域 全光通信网:光开关和开关阵列、光可变衰减器、光无源互连耦合器、可调滤波器、光相干探测器、光功率限幅器、微透镜、光交叉连接器OXC、光分插复用器OADM和波分复用器 无线电话; MEMS电容、电感、传输线、RF MEMS滤波器、RF MEMS振荡器、MEMS移相器、微波收发机MEMS集成化射频前端 计算机;摄像头、鼠标 投影仪、喷墨打印机 数据存储 2021/3/26 * 2021/3/26 * 2021/3/26 * 2021/3/26 * 汽车工业 每部汽车内可安装30余个传感器: 气囊,压力、温度、湿度、气体等 微喷嘴 智能汽车控制系统 工业控制 化工厂 自动化控制中的探测器等 2021/3/26 * MEMS的应用 2021/3/26 * 2021/3/26 * 2021/3/26 * 2021/3/26 * 2021/3/26 * 2021/3/26 * 薄膜形成： SiO2根据温度需要不同形成方法包括：。。。；光刻，根据曝光精度，可采用的光刻工艺。。。；掺杂工艺，，，；刻蚀工艺。。。。 * 2021/3/26 * Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 Photoresist IMD1 W Via Plug Metal2 光刻胶成形 光刻胶成形 相邻的金属层连线方向垂直,减小层间的感应耦合 2021/3/26 * Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 Photoresist IMD1 W Via Plug Metal2 Metal2刻蚀 Metal2刻蚀 类似于Metal1 2021/3/26 * Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 W Via Plug Metal2 除去光刻胶 2021/3/26 * Trench Oxide Polysilicon Cross Section N- Well P- Well N+ Source/Drain P+ Source/Drain Spacer Contact Metal1 Via1 Metal2 平面视图 完成第二层互连,后面的剖面图将包括右上角的压焊点 2021/3/26 * Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 W Via Plug Passivation Metal2 钝化层淀积 钝化层淀积 多种可选的钝化层,Si3N4、SiO2和聚酰亚胺等 保护电路免受刮擦、污染和受潮等 2021/3/26 * Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 W Via Plug Passivation Bond Pad Poly Gate Gate Oxide Silicide Spacer Metal2 钝化层成形 钝化层成形 压焊点打开,提供外界对芯片的电接触 2021/3/26 * Cross Section Trench Oxide N+ Source/Drain P+ Source/Drain Spacer Contact Metal1 Polysilicon Via1 +5V Supply VOUT N- Well P- Well Metal2 Ground Bond Pad VIN 平面视图 完成,显示了电气连接和部分压焊点 2021/3/26 * 完成 2021/3/26 * 略有不同的另一个工艺流程 Vth校正注入 场氧化层 TiN 2021/3/26 * 实验一 实验一 离子注