电子技术晶体三极管的工作原理晶体三极管的工作原理.pptx

晶体三极管的特性与参数 1 晶体三极管的基本应用 2 半导体三极管 结构与符号 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 NPN 型 PNP 型 晶体三极管的工作原理 分类 按材料分 硅管、锗管 按结构分 NPN、PNP 按使用频率分 低频管、高频管 按功率分 小功率管 500 mW 中功率管 0.5 ～1 W 大功率管 1 W 分类 晶体三极管的工作原理 放大条件 内部 条件 外部 条件 输入 回路 输出 回路 IE IB IC 发射结正偏 集电结反偏 + - 集电结反偏（ UCB0 ） 发射结正偏（ UBE0 ） 集电结面积大 基区薄且掺杂浓度低 发射区掺杂浓度高 晶体三极管的工作原理 电流分配关系 　　当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即： 　　以小电流（IB）控制大电流（IC）的作用，称为晶体管的电流放大作用。 晶体三极管的工作原理 内部载流子的传输过程 1) 发射区向基区注入多子电子， 形成发射极电流 IE。 I CN 多数向 BC 结方向扩散形成 ICN。 IE 少数与空穴复合，形成 IBN 。 I BN 基区空 穴来源 基极电源提供(IB) I CBO IB IBN  IB + ICBO 即： IB = IBN – ICBO 3) 集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流 IC IC I C = ICN + ICBO 2)电子到达基区后 (基区空穴运动因浓度低而忽略) 集电区少子漂移(ICBO) 晶体三极管的工作原理 考虑到集电结反向饱和电流ICBO的影响： IE = IC + IB 穿透电流 晶体三极管的工作原理