电子元器件的防浪涌应用.pdf

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电子元器件的防浪涌应用 电浪涌引起的电过应力( EOS)损伤或烧毁是电子元器件在使用过程中最常见的失效模式之 一。 电浪涌是一种随机的短时间的高电压和强电流冲击,其平均功率虽然很小,但瞬时功率却非 常之大。因此,它对电子元器件的破坏性很大,轻则引起逻辑电路出现误动作或导致器件的局部 损伤,重则引发热电效应 (如双极晶体管的二次击穿、 CMOS 电路的闩锁效应) ,使器件特性产生 不可逆的变化, 甚至遭到永久性破坏 (如造成铝金属互连线的烧熔飞溅) 。随着电子元器件集成密 度的提高和几何尺寸的缩小,使得它越来越容易因受到电过应力而损坏。因此,必须采取有效措 施予以防范。 9.1.1 集成电路开关工作产生的浪涌电流 数字集成电路在输出状态翻转时,其工作电流的变化很大。例如,在如图 9.1 所示的具有图 腾柱输出结构的 TTL 电路中,当状态翻转时,由于晶体管内储存电荷的释放需要一定的时间,其 输出部分的两个晶体管 VT 01 和 VT 02 会有大约 10ns 的瞬间同时导通,这相当于电源对地短路。每 一个门电路,在此转换瞬间有幅度为 30mA 左右的浪涌电流输出。 对于大规模集成电路或高密度印制板组件,一块电路或一块组件上会有几十乃至成千上百个 门电路同时翻转,所形成的浪涌电流是十分可观的。在上例中,若有 33 块 TTL 电路同时翻转, 则瞬态电流可达 1A,而变化时间只有 10ns。象这种电流变化, 稳压电源是难以稳定调节的。 一般 稳压电源的频率特性只有 10kHz 数量级, 对于 10ns级的剧烈变化是无济于事的。 于是, 上述效应 就会造成电源电流的剧烈波动,不仅给产生浪涌的原电路,而且可能给电路中的其它器件造成危 害,还会通过电磁辐射影响邻近的电路或设备。 由于这种浪涌电流具有很高的频率成分,可在集成电路附近接旁路电容(有时称去耦电容) 加以抑制,如图 9.2 所示。根据经验,一般可以在每 5~ 10 块(具体数目与所用电路的类型有关) 集成电路旁接一个 0.01~0.1 μF 左右的电容; 每一块大规模集成电路或每一块运算放大器也最好能 旁接一个电容。去耦电容应该是低电感的高频电容,小容量电容一般选用园片陶瓷电容器或多层 陶瓷电容器,大电容最好选用钽电解电容器或金属化聚酯电容器,不宜采用铝电解电容器,因为 它的电感比上述电容器大近一个数量级。另外,在印制线路板的电源输入处,也应旁接一个 100 μ F 左右的钽电容和一个 0.05 μF 左右的陶瓷电容。 编辑版 word (a) (b ) 图 9.1 数字集成电路开关工作时产生的浪涌电流示例 (a)图腾柱输出结构的 TTL 电路; (b)状态转换时的浪涌电流 Vi 为电路输入电压 ,ICC 为电源电流 图 9.2 抑制集成电路开关工作浪涌电流的措施 9.1.2 接通电容性负载时产生的浪涌电流 如果用开关电路或功率管驱动电容性负载(如图 9.3 所示),则在电路输出端由高电平向低电 平转换的瞬间,由于电容两端的电压不能突变,对于交变电流,它等效于短路,电流值仅由回路 的电阻 R 决定,所以这个浪涌电流可以在瞬间上升到接近于 V CC/ R 值, V CC为电源电压。该电流 远大于器件的正常导通电流,有可能给器件带来损伤。 为了抑制这种浪涌电流, 可以串联一个电感, 如图 9.4(a)所示。 也可以在接通瞬间串入一个限 流电阻,当电容性负载充电

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正气大哥
该用户很懒,什么也没介绍

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