五讲纳米碳管课件.pptVIP

㈢ 纳米C管的发现： ;二. 纳米C管的制备;3. 其它方法： 电解法、低T固体热分解法、球磨法、扩散火焰法等。 ;㈡ 单壁纳米C管（SWNT）的制备： ;㈢其它纳米C管的制备： 1. 双壁纳米C管（CNT）的制备在于准确控制C管的结构参数，集中于层数的控制。 制备方法：富勒烯C60充填处理法、电弧放电法、流动催化法。 2. 纳米C管阵列： 多壁阵列制备：微孔过滤法、等离子增强CVD、电化学刻蚀法、模板法。 单壁纳米C绳（超级管束）制备：改进电弧法、热解纳米图形法。获得好的定向。 （四） 纳米C管生长机理： 1．开口生长模型：生长过程的顶端总是开口，当生长条件不适应，则迅速封闭。 ２．闭口生长模型：生长过程总是封闭的，管的生长是由于C原子簇（C2）沉积，结环而完成。 ;三．纳米C管（CNT）的纯化： 制备CNT的方法产率不高，生长过程复杂，产物含有杂质，包括无定形C，纳米C粒、催化剂，必提纯。纯化方法有物理法：根据物理性质不同分离；化学法：根据氧化速率不同而分离。;（二）化学纯化法：主要采用液相氧化法。采用不同的氧化剂（如KMnO4, KCr2O7, HNO3液）在液相氧化，将杂质氧化除去。该法反应条件温和易于控制。 （三）其它方法：空气氧化法（选择性差），红外辐射加热法，石墨层化合法。单壁CNT采用综合法：化学、物理处理相结合。 开发研究总况： ①制备方法很多。只有电弧法能工业生产，催化法不久可实现。 ②产量逐渐增大，价值高。目前SWNT达g级，MWNT达Kg级，美国C纳米公司2000年达200g/d，2002年达9Kg/d，现在达t/d级；金属所研究出低成本的CNT，清华大学达Kg/d级。500美元/g。 ③ 发展趋势：研究纯度高、产率大、成本低的制备方法。 问题：难以精确控制，机理不太清楚，与实际应用有差距。;四. 纳米C管的性能与应用 ;超级增强纤维，长径比大（100-1000），用于微型机器人，抗冲击车身，建筑物，高强合金钢，轻质、高强绳索，用于宇宙飞船，地球—月球乘人电梯（唯一不被自身重量拉断）。 2. CNT复合材料， 聚合物基：提高电导率、强度、防静电性、光电性； 　 金属基：提高耐磨性；陶瓷基：提高韧性。 应用：组???特定性能的功能材料，用于刹车副、火箭锥体、飞机和汽车零件等。 3.扫描探针显微镜和原子力显微镜针尖，使横向分辨率提高10倍。可观察DNA、蛋白质，进行分子识别，疾病诊断等。 ;㈢ CNT在电子学方面的应用 ;㈣ CNT用作储氢材料： ;㈤CNT的其它应用： 1. Li＋电池的CNT负极材料：嵌Ni性好，化学稳定性好，提高放电容量、寿命。 2. 新型储能装置：大容量电化学电容，制后备电源。 3. 吸波材料：高的光吸收率，用于隐形储能、吸波。 4. 高效催化剂材料，分子水平的催化剂，吸附Ni、Fe，催化合成氨，合成甲醇等。 5.人体组织材料：人工心脏瓣膜，人造肌肉纤维，还用于机器人的运动构件。 ;五. 其它一维纳米材料的制备;3. 纳米碳管模板法： 如图：将Ga－Ga2O3的混合粉末放在坩埚底部，C纳米管放在纳米C管模板上，通入NH3，加热到1173K，由下而上的Ga2O气体与NH3和C反应，合成GaN纳米丝（直径4－50nm，长25μ） ;㈡ 其它方法制纳米丝或线： 1. 气－固生长法：MgO与Mg （粉）为原料，1200℃生成Mg蒸气，在 MgO衬底（衬底上有纳米坑、丘）上生成MgO纳米丝（微型森林）。 2. 选择电沉积法：InAlAs作阴极，Ni丝作阳极，金属柠檬酸盐（NiCit＋FeCit）作电解液，在阴极上析出Fe、Ni合金纳米线。 还有：蒸发冷凝法、激光烧蚀法、金属有机物气相外延法、聚合法最近，日本制出非晶钯合金丝，用于检测脑肿瘤等。 ;㈢ 纳米同轴电缆制备：;资料查阅与评述: