2015-2016第二学期作业.docx

教材 模拟电子技术基础（第四版） 清华大学 模拟电子技术课程作业 第 1 章 半导体器件 1 将 PN结加适当的正向电压，则空间电荷区将 ( ) 。 (a) 变宽 (b) 变窄 (c) 不变 2 半导体二极管的主要特点是具有 ( ) 。 (a) 电流放大作用 (b) 单向导电性 (c) 电压放大作用 3 二极管导通的条件是加在二极管两端的电压 ( ) 。 正向电压大于 PN结的死区电压 正向电压等于零 必须加反向电压 4 理想二极管的反向电阻为 ( ) 。 (a) 零 (b) 无穷大 (c) 约几百千欧 5 电路如图 1 所示，设 D1 ，D 2 均为理想元件，已知输入电压 ui =150sin t V 如图 2 所示，试画出电压 uO 的波形。 6 电路如图 1 所示，设输入信号 uI1 , uI2 的波形如图 2 所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压 uO 的波形，并说明 t 1,t 2 时间内二极管 D1，D2 的工作状态。 7 电路如图所示，试分析当 uI 3 V 时，哪些二极管导通？当 uI 0 V 时，哪些二极管导 通？（写出分析过程并设二极管正向压降为 0.7 V ）。 第 2 章 基本放大电路 1 下列电路中能实现交流放大的是图 ( ) 。 + U CC + U CC + + + + + + + uo + ui ui uo - - - - ( a) (b ) + U CC + U CC + + + + + + + + uo ui u o ui - - - - (c) (d) 2 图示电路，已知晶体管 60 ， UBE 0.7 V ， RC 2 k ，忽略 U ，如要将集电极电流 BE I C调整到 1.5mA，RB 应取 ( ) 。 (a)480k? (b)120k? (c)240k? (d)360k? 3 电路如图所示，  RC＝3k?，晶体管的  β＝50，欲使晶体管工作在放大区，  RB  应调 至( )。 (a)10k? (b)100k? (c)300k? (d) ∞ 4 分压式偏置放大电路如图所示，晶体 T 的 40 UBE 0.7 V ，试求当 RB1，RB2分别 ， 开路时各电极的电位（ UB，UC， UE）。并说明上述两种情况下晶体管各处于何种工作 状态。 5 放大电路如图所示 , 已知晶体管的输入电阻 rbe 1 k ，电流放大系数 =50，要求 : 画出放大器的微变等效电路； 计算放大电路输入电阻 ri 及电压放大倍数 Au。 6 电 路 如图所 示， 已 知 RB 400 k ， RC 1 k ，UBE 0. 6 V ，要 求 : (1) 今测得 UCE 15V，试求发射极电流 IE以及晶体管的 ; 欲将晶体管的集射极电压UCE减小到 8V，试求 RB应如何调整？并求出 其 值。(3) 画出微变等效电路。 第三章 多级放大电路 1 由两管组成的无射极电阻 RE 简单差动放大电路， 欲在双端输出时能很好的抑制零点 漂移必须使得 ( ) 。 电路结构对称，两管特性及对应的电阻元件参数相同。 电路结构对称，但两管特性不一定相同。 两管特性及对应的电阻元件参数相同，但电路结构不一定对称。 2 在多级直接耦合放大电路中，导致零点漂移最为严重的是 ( ) 。 (a) 第一级的漂移 (b) 中间级漂移 (c) 末级漂移 3 在直接耦合放大电路中，采用差动式电路结构的主要目的是 ( ) 。 提高电压放大倍数 抑制零点漂移 提高带负载能力 4 电路如图所示，微安表的读数为100 A，AB 支路的总电阻RL 2k ， 1 2 =50, UBE0.6 V ，计算时忽略 Rp的影响，且不计微安表的内阻。要求： (1) 指出 电路的输入，输出方式；(2) 电路是如何抑制零点漂移的？ (3) 计算输入电压 uI 的大小。 5 差动放大电路如图所示，问 RE 对差模信号有无影响？为什么？ 6 电路如图所示，其中两个晶体管特性完全相同。试回答： (1)RE，RC，RZ各起什么 作用？ (2) 此电路是否能将交流信号 uI 放大为 uO ？ (3) uI 和 uO 的相位关系怎样，是同相还是反相？ 8 某抑制零点漂移的放大电路如图所示， 试说明该电路中， 采用了哪些改善电路性能 的措施 ? 第四章 集成运算放大器 1 从外部看，集成运放可等效成高性能的（ ） 双端输入双端输出的差分放大电路 双端输入单端输出的差分放大电路 单端输入双端输出的差分放大电路 单端输入单端输出的差分放大电路 2 集成运放的输出级多采用（ ） 共射放大电路 B. 共集放大电路 C. 互补输出电路 第 5 章 放大电路的频率响应 1 低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（ ） (a) 耦合电容和旁路电容的存