IC原理复习资料解读.docx

?IC原理》复习资料 按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型？ 小规模集成电路(SSI)、中规模集成电路(MSI)、大规模集成电路(LSI)、超大规 模集成电路(VLSI)、特大规模集成电路(ULSI)、巨大规模集成电路(GSI) o 按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？ BJT 型、MOS 型、Bi-CMOS 型 按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 数字集成电路、模拟集成电路、数模混合集成电路 四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？ 减小寄生pnp管的影响；②减小集电极串联电阻。 简单叙述-b*pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？ N+隐埋层扩散孔光刻一 P隔离扩散孔光刻一 P型基区扩散孔光刻一 N+发射区 扩散孔光刻一引线孔光刻一反刻铝 6?简述硅栅P阱CMOS的光刻步骤？ P阱光刻一光刻有源区一光刻多晶硅-P+区光刻-N+区光刻一光刻接触孔一光刻 铝线7?以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？ PMOS NPN晶体管电流增益小；集电极的串联电阻很大； NPN管C极只能接固定 电位，从而限制了 NPN管的使用&以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺 点？并请提出改进方法 优点：NPN具有较薄的基区，提高了其性能；N阱使得NPN管C极与衬底隔开, 可根据电路需要接电位 缺点：集电极串联电阻还是太大，影响双极器件的驱动能力 改进方法：在N阱里加隐埋层，使NPN管的集电极串联电阻减小；使CMOS器件 的抗闩锁性能大大提高 纵向 NMOS PMOS e 5 双极型IC的隔离技术主要有几种类型。 pn结隔离、绝缘介质隔离及性能更优越的pn结隔离、绝缘介质隔离混合的隔 离工艺一混合隔离（等平面隔离）。其中最重要的是典型的pn结隔离的工艺内容， 这仍然是双极型逻辑集成电路制造中最最常用的隔离工艺，因为该工艺与常规平面 制造工艺相容性最好。 pn结隔离-利用反向pn结的大电阻特性实现集成电路中各元器件间电性隔 离方法；介质隔离-使用绝缘介质取代反向pn结，实现集成电路中各元器件间电性 隔离方法；混合隔离-在实现集成电路中各元器件间电性隔离时，既使用了反向pn结 的大电阻特性又使用了绝缘介质电性绝缘性质的方法。 为什么集成双极型晶体管会存在寄生效应？画出截面图并说明何谓有源寄生 效应。 为了在一个基片上制造出多个器件，必须采用隔离措施，常pn结隔离是一种 用的工艺。在pn结隔离工艺中，典型npn集成晶体管的结构是四 层三结构，即npn管的高浓度n型扩散发射区-npn管的p型扩散基区-n型外延层 （npn管的集电区）-p型衬底四层，以及四层之间的三个pn结这样的工艺结构。这 就会产生寄生pnp晶体管。 P-SUB 11?如何抑制集成双极型晶体管的有源寄生效应和无源寄生效应？ 抑制有源寄生效应的措施：（1）在npn集电区下加设rf埋层，以增加寄生pnp 管的基区宽度，使少子在基区的复合电流增加，降低基区电流放大系数卩pnp使寄 生pnp管的电流放大系数降至0. 01以下，则有源寄生转变为无源寄生，仅体现为势 垒电容的性质。;同时埋层的rf扩散区形成的自建减速场也有一定的降低的作用， 还可降低 心。（2）可采用外延层掺金工艺，弓I入深能级杂质，降低少子寿命，从 而降低B pnp掺金工艺是在npn管集电区掺金（相当于在pnp管基区掺金）。掺金 的作用，使pnp管基区中高复合中心数增加，少数载流子在基区复合加剧，由于非 平衡少数载流子不可能到达集电区从而使寄生 pnp 管电流放大系数大大降低。（3）还应注意，npn管基区侧壁到F隔离环之间也会 形 成横向pnp管，必须使npn管基区外侧和隔离框保持足够距离。 抑制无源寄生效应的措施：pn结电容的大小与结的结构和所处的状态有关，即 与pn结上所加的偏压有关；还与pn结的面积有关，减小pn结的面积是减小pn结 电容的有效方法。降低res的方法是在npn集电区下加设m埋层，采用磷穿 透工艺可 进一步降低reso 下图示岀横向pnp管、纵向pnp管的剖面图。试说明它们的结构与特点 横向pnp管的制作可与普通的npn管同时进行，不需附加工序。采用等平 面隔 离工艺的横其中心p型发射区和外围p型区是与普通npn管基区淡硼扩散 同时完成 的，而基区即为外延层。在横向pnp管中，发射区注入的少子（空穴）在基区中流 动的方向与衬底平行，故称为横向 pnp管。 纵向pnp管以P型衬底作集电区，集电极从浓硼隔离槽引出。 N型外延层 作基区，用硼扩散作发射区。由于其集电极与衬底相通，在电路中总是接在最低 电 位处，这使它的使用场合受到了限制，在运放中通常只能作为输出级或输出缓冲级 使用。 说明提高衬底pnp管电流增益的主要措施 降低基区材料的缺陷，减少复合中心数目，