关于开关管RC吸收回路共7页.docxVIP

第 第 PAGE #页 关于开关管RC吸收回路 等效电路： L:变压器漏感及元器件引线电感等杂散电感之和。 R、C:吸收电阻电容。 D、Cd:整流二极管，Cd为D的结电容。 Q、Coss：开关 MOSFET, Coss为 MOSFET 的结电容。 开关管由导通到截止时由于漏感 L的存在，要通过R、C将其能量吸收掉，否则会产生 一个尖峰电压影响到元件的可靠性以及造成 EMI问题。 整流二极管截止时还有个反向恢复电流的问题，但是把反向恢复电流最大时当作分析 的起使点，那在实际分析时过程还是一样的，只是初始状态不同。 考虑整流二极管这个回路， 设流过L上的电流为I1(t): 流过结电容Cd 流过结电容Cd的电流为 f，-2 Id := —Cd L —2 I1(t) ：2 流过吸收电容C的电流为Ic := I1(t) +Cd L ]l1(t)； 根据Cd两端电压等于R、C两端电压得到微积分方程 由于含有积分，方程求解不便，将其求导，得到 3阶微分方程： 由于Cd很小，可以将其忽略以简化分析，得到简化后的微分方程： 考虑初始状态I1(0)=Io, 11'(0)=(Vin-Vo)/L,其中Io为开关管关闭时电流的最大值， 应用拉普拉斯变换得到变换后的方程： 这是个2阶系统，应当让其工作在过阻尼状态防止振荡，因此要保证极点有 2个相异实 rr 根，得到2 C : R o 应用拉普拉斯逆变换可以得到电流I1(t)的解： 电感L上的电压： 二极管D上的电压： 假定 L=0.1uH，C=220pF, Vo=12V，Vin= -60V (此时 MOSFET ON，变压器次级电压 反向，Vin 由 12V 跳变为-60V)，R=2*sqrt (L/C) =42.6ohm。 DCM状态下Io=0，考虑不同的R值对波形的影响： R=100ohmR=10ohmR=47ohm R=100ohm R=10ohm R=47ohm R=100ohm 电流I1(t)波形电感 电流I1(t)波形 电感L上的电压波形 二极管D电压波形 吸收电容C电压波形 可以看到阻值越小，电压电流的波形振荡越多，峰值越高，越容易对回路产生不利影 响，因此要保证工作在过阻尼状态，电阻 R不能取小 考虑R=47ohm时不同电容C对波形的影响： F FF P PDO OOO F FF P PDO OOO 270 241 === CCC F FF P PDO OOO 270 241 一二一二 CCC 电感L上的电压波形吸收电容 电感L上的电压波形 吸收电容C电压波形 并且电压的过冲会减小，这样对 EMI 二极管D电压波形 可以看到电容C越大，电压电流变化率会减小, 会有好处，但是峰值电流会变大。 考虑此时电阻R上的功率消耗，假定回路工作频率 50KHz : 可以看到正常情况下吸收电阻消耗的功率与 R值大小无关，只与C及C两端的电压有 关，因此可以看到改善EMI是以增加消耗功率为代价的，会降低回路的总体效率，因此 C 也不能取太大，此时P=1/2*C*(Vin-VoF2*f 。 需要看到此时吸收回路吸收的不是漏感 L上的能量，而是电压跳变在电容 C上产生的 能量。 考虑在CCM状态下，设Io=1A和2A C=220pF时不同R值对波形的影响： 1A时电流I1(t)波形 1A时电感L上的电压波形 1A时二极管D电压波形 1A时吸收电容C电压波形 2A时电流I1(t)波形2A时电感L上的电压波形2A时二极管D电压波形2A时吸收电容 2A时电流I1(t)波形 2A时电感L上的电压波形 2A时二极管D电压波形 2A时吸收电容C电压波形 1A时电流I1(t)波形 2A时电流I1(t)波形 1A时电感L上的电压波形 FF P J ooo 270 241 -二二- CCC 2A时电感L上的电压波形 F FF P PDO Quo 270 241 一二二- CCC FF P J ooo 270 241 =二二 CCC 1A时二极管D电压波形 2A时二极管D电压波形 1A时吸收电容C电压波形 2A时吸收电容C电压波形 可以看到当截止电流比较大时，电阻越大电流下降越慢，吸收电容上初始电压就会越 高，对电容耐压要求就会越高，此时电感 L及二极管D两端电压变化也会更快，对回路产 生不利影响的可能性会更大，因此吸收电阻 R取值也不能太大。 吸收电容上有初始电压是因为考虑二极管关断时两端电压不能突变，电感 L电流也不 能突变，从而电流经吸收电阻在吸收电容上产生了初始电压。 吸收电容的增大可以减小电压电流的变化率。 考虑此时吸收电阻R消耗的功率: 0.060.060.040 021 e-09 1004e-106e-10 0.06 0.06 0.04 0 02 1 e-09 100 4e-10 6e-10 C 8e-10