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;3.1 半导体三极管
3.2 基本共射极放大电路
3.3 放大电路的静态分析
3.4 放大电路的动态分析
3.5 静态工作点的稳定
3.6 共集与共基极放大电路;3.1 半导体三极管 ;3.1 半导体三极管 ;3.1 半导体三极管 ;;图 3 – 2 三极管的结构示意图和符号 ; 无论是NPN型或是PNP型的三极管,它们的核心部分是两个PN结,分别称为发射结BE和集电结BC。
三个区: 发射区、基区和集电区, 并相应地引出
三个电极:发射极(e)、基极(b)和集电极(c)。
发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。
常用的半导体材料有硅和锗, 因此共有四种系列三极管类型。它们对应的型号分别为:
3A(锗PNP)、3B(锗NPN)、
3C(硅PNP)、3D(硅NPN) 。 ;二、三极管中的电流分配(内部载流子的传输过程)*
1.三极管放大的两个条件:
1)内部条件:三个区(发射区、基区和集电区)的掺杂浓度与厚薄均不一样。两个PN结的结面积不同。从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的,实际上发射区的掺杂浓度大,集电区掺杂浓度低,且集电结面积大。基区要制造得很薄,其厚度一般在几个微米至几十个微米。;;二、三极管中的电流分配(内部载流子的传输过程)*
2)外部条件:为使三极管具有电流放大作用,所加的外部电源必须使两个PN结偏置合适。
发射结(BE结)须正向偏置(有利于多子扩散)
集电结(BC结)须反向偏置(有利于少子漂移)。
;二、三极管中的电流分配(内部载流子的传输过程)*
2、三极管放大电路的构成:为使三极管电流放大作用得以实现,构成电路时三个电极发射极(e)、基极(b)和集电极(c)其中一个做小信号输入端, 一个作输出端,一个电极做公共端。从而构成二端口网络,即输入、输出两个回路。
具体有三种接法(三种组态):见下图
共发射极接法,发射极作为公共电极,用CE表示;
共集电极接法,集电极作为公共电极,用CC表示;共基极接法,基极作为公共电极,用CB表示。;三极管的三种组态 :;下面以共发射极组态为例分析:
1)NPN型晶体管
2)依据外部条件建立电路:
发射结(BE结)须正向偏置→输入回路(基极回路)
集电结(BC结)须反向偏置→输出回路(集电极回路)
发射极接地(原因)
3)VCC(EC) >VBB(EB) ;;(1)发射:发射区向基区发射(扩散)注入电子,形成发射极电流IE
发射结正偏,有利于发射区和基区的多子扩散运动。发射区向基区发射的电子所形成的电流,称为电子注入电流IEN,基区向发射区扩散的空穴所形成的电流称为IEP。发射极电流IE由两部分组成:IEN和IEP。因为发射区是重掺杂,基区浓度很小且很薄,所以IEP忽略不计, 即IE≈IEN。
(2)扩散和复合:电子在基区边复合边扩散,形成基极电流IB
由发射区注入基区的电子称为非平衡少子,由于浓度差继续向集电结扩散,扩散过程中少部分电子与基区空穴复合形成电流IBN。基区空穴是由电源UBB提供的,故它是基极电流的一部分。由于基区薄且浓度低,所以IBN很小。;;(3)收集:集电区收集从发射区扩散到基区的电子,形成集电极电流IC
由于集电结反偏,促进集电区和基区的少数载流子漂移运动。所以基区中扩散到集电结边缘的电子(非平衡少子)在电场作用下漂移过集电结,到达集电区,形成收集电流ICN。
同时集电区和基区内部本身原有的少数载流子也要向对方漂移运动,形成反向饱和电流ICBO。
于是集电极电流IC由两部分组成: IC=ICN+ICBO,
由于两区本身原有的少数载流子数量极少,所以ICBO很小。并且其值受温度影响较大,与外部电压变化无关。;图 3 – 三极管中载流子的传输过程;3、 三极管电流的形成与分配 ;总结:
1.此放大过程的基础是放大的内部和外部条件
2.此放大过程说明三极管内部有两种载流子参与导电,故称为双极性晶体管。
;三、三极管各电极电流之间的数量关系
IC=ICN+ICBO
2.IB=IBN-ICBO
3.IE≈IEN=ICN+IBN.=IB+IC
由于ICN>>IBN ,IE≈ICN≈IC
实验表明:IC比IB大数十至数百倍。IB虽然很小,但对IC有控制作用,IC随IB的改变而改变,即基极电流较小的变化可以引起集电极电流IC较大的变化,表明基极电流对集电极具有小量控制大量的作用,这就是三极管的电流放大作用。
; 发射区注入的电子绝大多数能够到达集电极, 形成集电极电流, 即说明ICN>>IBN。通常用共基极直流电流放大系数α衡量上述关系, 其定义为;通常IC>>ICBO, 可将ICBO忽略, 由上式可得出 ;经过整理后得 ;则;表3
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