半导体三极管及其放大电路基础.pptxVIP

;3.1 半导体三极管 3.2 基本共射极放大电路 3.3 放大电路的静态分析 3.4 放大电路的动态分析 3.5 静态工作点的稳定 3.6 共集与共基极放大电路;3.1 半导体三极管 ;3.1 半导体三极管 ;3.1 半导体三极管 ;;图 3 – 2 三极管的结构示意图和符号 ; 无论是NPN型或是PNP型的三极管,它们的核心部分是两个PN结，分别称为发射结BE和集电结BC。 三个区: 发射区、基区和集电区, 并相应地引出 三个电极：发射极（e)、基极(b)和集电极(c)。 发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 常用的半导体材料有硅和锗, 因此共有四种系列三极管类型。它们对应的型号分别为： 3A(锗PNP)、3B(锗NPN)、 3C(硅PNP)、3D(硅NPN) 。 ;二、三极管中的电流分配（内部载流子的传输过程）* 1.三极管放大的两个条件： 1）内部条件：三个区（发射区、基区和集电区）的掺杂浓度与厚薄均不一样。两个PN结的结面积不同。从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。;;二、三极管中的电流分配（内部载流子的传输过程）* 2）外部条件：为使三极管具有电流放大作用，所加的外部电源必须使两个PN结偏置合适。 发射结（BE结）须正向偏置（有利于多子扩散） 集电结（BC结）须反向偏置（有利于少子漂移）。 ;二、三极管中的电流分配（内部载流子的传输过程）* 2、三极管放大电路的构成：为使三极管电流放大作用得以实现，构成电路时三个电极发射极（e)、基极(b)和集电极(c)其中一个做小信号输入端, 一个作输出端，一个电极做公共端。从而构成二端口网络，即输入、输出两个回路。 具体有三种接法（三种组态）：见下图 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示；共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。;三极管的三种组态 ：;下面以共发射极组态为例分析： 1）NPN型晶体管 2）依据外部条件建立电路： 发射结（BE结）须正向偏置→输入回路（基极回路） 集电结（BC结）须反向偏置→输出回路（集电极回路） 发射极接地（原因） 3）VCC(EC) ＞VBB(EB) ;;(1)发射：发射区向基区发射（扩散）注入电子，形成发射极电流IE 发射结正偏，有利于发射区和基区的多子扩散运动。发射区向基区发射的电子所形成的电流,称为电子注入电流IEN,基区向发射区扩散的空穴所形成的电流称为IEP。发射极电流ＩＥ由两部分组成：ＩＥN和ＩＥP。因为发射区是重掺杂,基区浓度很小且很薄，所以ＩＥP忽略不计, 即ＩＥ≈ＩＥN。 (2)扩散和复合：电子在基区边复合边扩散，形成基极电流IB 由发射区注入基区的电子称为非平衡少子，由于浓度差继续向集电结扩散，扩散过程中少部分电子与基区空穴复合形成电流IBN。基区空穴是由电源ＵＢＢ提供的,故它是基极电流的一部分。由于基区薄且浓度低，所以IBN很小。;;(3)收集：集电区收集从发射区扩散到基区的电子，形成集电极电流IC 由于集电结反偏，促进集电区和基区的少数载流子漂移运动。所以基区中扩散到集电结边缘的电子（非平衡少子）在电场作用下漂移过集电结，到达集电区，形成收集电流ICN。 同时集电区和基区内部本身原有的少数载流子也要向对方漂移运动，形成反向饱和电流ICBO。 于是集电极电流ＩC由两部分组成： IC＝ＩCN＋ＩCBO, 由于两区本身原有的少数载流子数量极少，所以ＩCBO很小。并且其值受温度影响较大，与外部电压变化无关。;图 3 – 三极管中载流子的传输过程;3、 三极管电流的形成与分配 ;总结： 1.此放大过程的基础是放大的内部和外部条件 2.此放大过程说明三极管内部有两种载流子参与导电，故称为双极性晶体管。 ;三、三极管各电极电流之间的数量关系 IC＝ＩCN＋ＩCBO 2.ＩB=ＩBN－ＩＣＢＯ 3.ＩＥ≈ＩＥN＝ICN+IBN.=IB+IC 由于ＩCN>>ＩBN ,IE≈ICN≈IC 实验表明:IC比IB大数十至数百倍。IB虽然很小，但对IC有控制作用，IC随IB的改变而改变，即基极电流较小的变化可以引起集电极电流IC较大的变化，表明基极电流对集电极具有小量控制大量的作用，这就是三极管的电流放大作用。 ; 发射区注入的电子绝大多数能够到达集电极, 形成集电极电流, 即说明ＩCN>>ＩBN。通常用共基极直流电流放大系数α衡量上述关系, 其定义为;通常ＩＣ>>ＩCBO, 可将ＩＣＢＯ忽略, 由上式可得出 ;经过整理后得 ;则;表3