[XPS]分峰的分析实例.docx

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材料X射线光电子能谱数据处理及分峰的分析实例 例:将剂量为1 107ions/cm2,能量为45KeV的碳离子注入单晶硅中,然后在1100C 退火2h进行热处理。对单晶硅试样进行XPS测试,试对其中的Cis高分辨扫瞄谱 进行解析,以确定各种可能存在的官能团。 分析过程: 1、在Origin中处理数据 将实验数据用记事本打开,其中Cis表示的是Cs电子,299.4885表示起始结 合能,-0.2500表示结合能递减步长,81表示数据个数。从15842开始表示是光 电子强度。从15842以下数据选中Copy到Excel软件B列中,为光电子强度数 据列。同时将299.4885Copy到Excel软件A列中,并按照步长及个数生成结合 能数据,见图2 图2 将生成的数据导入Origin软件中,见图3 图3 此时以结合能作为横坐标,光电子强度作为纵坐标,绘出 Cis谱图,检查谱 图是否有尖峰,如果有,那是脉冲,应把它们去掉,方法为点 Origin软件中的 Data-Move Data Points,然后按键盘上的 或 箭头去除脉冲。本例中的实验数 据没有脉冲,无需进行此项工作。将 column A和B中的值复制到一空的记事本 文档中(即成两列的格式,左边为结合能,右边为峰强),并存盘,见图 4。 3 ? '11 Fgirw-il 1 kmIm JSj XOr s£ihI ■叭 3 ? '11 Fgirw-il 1 kmIm JSj X Or s£ihI ■叭OaF勒 I>4b^ ni.>4f at gr HHI CTP.IO j |Lli |h? I=-w ILr 1尸“ .g 鸣科r.骼科科n略M ??]■日 H 聖丄孑/.丿 hE.b m 吕 3 气 < *r4^ri 「3 槽朋HIfMifflM冲刊;:沙绅沙严掛丹幵疔珂丹科?:帀岛KN?1 F g 7m■ — k ■* ■* 口?尸?Qk*1 心 m a F g 7m■ — k ■* ■* 口?尸? itnl-M 1*1|??1||!* I l?^ ■ t jtilli -41 1 I k~i il. !■ Ji hi. 2、打开XPS Peak引入数据:点Data----lmport (ASCII),引入所存数据, 则出现相应的XPS谱图,见图5、图6 ■■ Bf fl iH ILtfiU rLiOLiO丄4??龍丄■ I CT hl 1i ifui w i11 |RfRTI*YdUWJU ■YdUWJU ■X耳 ■■ Bf fl iH ILtfi U r LiO LiO 丄4??龍丄■ I CT hl 1 i ifui w i 11 |RfRTI* YdUWJU ■ YdUWJU ■ X耳0日翊卩T U4T2? ?Wm< b?EF lM K- 1 S5 3、选择本底:点 Background,因软件问题,High BE和Low BE的位置最 好不改,否则无法再回到 Origin,此时本底将连接这两点,Type可据实际 情况选择,一般选择Shirley 类型,见图7。 图7 4、加峰: 点Add peak,出现小框,在Peak Type处选择s、p、d、f等峰类型(一般 选s),在Position处选择希望的峰位,需固定时则点 fix前小方框,同法还 可选半峰宽(FWHM、峰面积等。各项中的constraints 可用来固定此峰与另一 峰的关系。点Delete peak可去掉此峰。然后再点 Add peak选第二个峰,如此 重复。 在选择初始峰位时,如果有前人做过相似的实验,可以查到相应价键对应的 峰位最好。但是如果这种实验方法比较新,前人没有做过相似的,就先用标准的 峰位为初始值。最优化所有的峰位,然后看峰位位置的变化。 本例中加了三个峰,C元素注入单晶硅后可能形成 C-C、C-Si和C-H三个价 键。根据这三个价键对应的结合能确定其初始峰位, 然后添加。具体过程见图8、 9、10。 图8 MEI : 33^ 图9 回 Optimise regi on o I W5 JJ ■ Siu*?* Accept >31 图10 Tj- LJIIIFJ 观察拟合后总峰与原始峰的重合情况,如不好,可以多次点 Optimise region 进行拟合 最终拟合结果见图11。 l! e [2 I 5、拟合。选好所需拟合的峰个数及大致参数后,点 心沁」 Wn MH I 询 4W1 4站卿||?11 广 ni mm ■ ■ ZM1 ■ FmIh | 1 1 ■ 9 11 d > * 1 i 辛 1 ! 19 1 1 1 I— FWTffl — [1 口讥 npifc-?" ? &wa4rnd? □ Hi 图 11 6、参数查看。拟合完成后,分别点另一个窗口中的 Rigion Peaks

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cooldemon0601
该用户很懒,什么也没介绍

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