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2.1 二极管、三极管、MOS管的开关特性;理想开关特性的静态特性：;二极管 ;;外特性：;2二极管结构及伏安特性 ;(c)平面型;②二极管的伏安特性; ②正向电压超过某一数值V0时，内部电场被削弱，电流显著增大;二极管的开关特性;;二极管具有单向导电性;存储时间;4 二极管的主要参数;5稳压管;1、 利用PN结反向击穿的特性，可以制成稳压二极管。;(c)应用电路;1）、稳定电压UZ：稳压管击穿后电流变化很大。而电压基本不变的电压。不同的稳压管有不同的稳定电压。;U < U（BR）;静态特性;(3) 输入特性;三极管的???关特性;;2.三极管的饱和条件和等效电路 ;将三极管刚刚从放大进入饱和时的状态称为：临界饱和状态。;;4.三极管的主要参数;极间反向电流 ;频率参数;极限参数 ;MOS管;MOS场效应管;? N沟道增强型MOS场效应管结构;
当UGS较小时，虽然在P型衬底表面有电子出现，但还行不成导电沟道，不能导电。;? N沟道增强型MOS场效应管特性曲线;? N沟道增强型MOS场效应管特性曲线;? N沟道增强型MOS场效应管特性曲线;? 漏源电压UDS对漏极电流ID的控制作用 ;;MOS管的开关特性;（二）MOS管的开关等效电路 ; ②正向电压超过某一数值V0时，内部电场被削弱，电流显著增大;1、 利用PN结反向击穿的特性，可以制成稳压二极管。;(c)应用电路;2.三极管的饱和条件和等效电路 ;2.三极管的饱和条件和等效电路 ;? N沟道增强型MOS场效应管结构;
当UGS较小时，虽然在P型衬底表面有电子出现，但还行不成导电沟道，不能导电。;（二）MOS管的开关等效电路
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