LTSpice学习笔记最新分析和总结.pdf

-- LTspice 1. 变压器仿真的简单步骤： A. 为每个变压器绕组绘制一个电感器 B. 采用一个互感 (K) 描述语句通过一条 SPICE 指令对其实施耦合： K1 L1 L2 1 K 语句的最后一项是耦合系数，其变化范围介于 0 和 1 之间， 1 代表没有漏电感。对于实际 电路，建议您采用耦合系数 = 1 作为起点。 每个变压器只需要一个 K 语句； LTspice 为一个变压器内部的所有电感器应用了单一耦合系数。 下面所列是上述语句的等效语句 : K1 L1 L2 1 K2 L2 L3 1 K3 L1 L3 1 C. 采用 “移动 ” (F7 、) “旋转 ” (Ctrl + R) 和 “镜像 ” (Ctrl + E) 命令来调 节电感器位置以与变压器的 极性相匹配。添加 K 语句可显示所含电感 器的调相点。 D. LTspice 采用个别组件值 (在本场合中为个别电感器的电感 ) 而非变压器的匝数比进行变压器 的仿真。电感比与匝数比的对应关系如下： 电感至匝数比 例如：对于 1:3 和 1:2 的匝数比，输入电感值以产生 1:9 和 1:4 的比值： 2. 一般来说压是对地， 如果你想知某元件俩端的电压该如何呢？ 设一参考点， 先点小人， 然后在电路图 的空白处点右键，找黑白电笔 Set probe reference ，也可从 VIEW 找。按键盘上 ESC 可去黑白电笔。 3. Die Impulsantwort 脉冲响应。 4. To create an LTspice model of a given MOSFET, you need the original datasheet and the pSPICE model of that MOSFET. The parameters needed to define a MOSFET in LTspice are as follows: Rg Gate ohmic resistance Rd Drain ohmic resistance (this is NOT the RDSon, but the resistance of the bond wire) Rs Source ohmic resistance. Vto Zero-bias threshold voltage. Kp – Transconduc