电力电子技术王兆安001器件m解读.pptVIP

MOSFET 的开关速度 1.4.3 电力场效应晶体管 MOSFET 的开关速度和 C in 充放电有很大关系。 可降低驱动电路内阻 R s 减小时间常数，加快开关速度。 不存在少子储存效应，关断过程非常迅速。 开关时间在 10~100ns 之间，频率可达 100kHz 以上，是器件中最高的 场控器件，静态时不需输入电流。但开关时需对输入电容充放电，仍需 一定驱动功率 开关频率越高，所需要的驱动功率越大。 3) 电力 MOSFET 的主要参数 — 电力 MOSFET 电压定额 (1) 漏极电压 U DS (2) 漏极直流电流 I D 和漏极脉冲电流幅值 I DM — 电力 MOSFET 电流定额 (3) 栅源电压 U GS — ? U GS ? 20V 将导致绝缘层击穿 。 除跨导 G fs 、开启电压 U T 之外还有： (4) 极间电容 — 极间电容 C GS 、 C GD 和 C DS 1.4.4 绝缘栅双极晶体管 GTR 和 GTO 的特点 —— 双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流能力 很强，开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。 MOSFET 的优点 —— 单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热 稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。 两类器件取长补短结合而成的复合器件 — Bi-MOS 器件 绝缘栅双极晶体管（ Insulated-gate Bipolar Transistor — IGBT ） GTR 和 MOSFET 复合，结合二者的优点。 1986 年投入市场，是中小功率电力电子设备的主导器件。 继续提高电压和电流容量，以期再取代 GTO 的地位。 E G C N + N - a) P N + N + P N + N + P + 发射极 栅极 集电极 注入区 缓冲区 漂移区 J 3 J 2 J 1 G E C + - + - + - I D R N I C V J1 I D R on b ) G C c ) 1.4.4 绝缘栅双极晶体管 IGBT 的结构 ? IGBT 比 VDMOSFET 多一层 P + 注入区 , 有很强的通流能力 ? 是 GTR 与 MOSFET 组成的达 林顿结构 ? R N 为基区内调制电阻 N 沟道 IGBT VDMOSFET GTR 组合 场控器件，原理与电力 MOSFET 基本相同，通断由栅射极电压 u GE 决定。 导通 ： u GE 大于 U GE(th) 时， MOSFET 内形成沟道，提供基极电流， IGBT 导通。 通态压降 ：电导调制效应使电阻 R N 减小，使通态压降减小。 关断 ：栅射极间施加反压或不加信号时， IGBT 关断。 IGBT 的原理 1 ） IGBT 的结构和工作原理 三端器件：栅极 G 、集电极 C 和发射极 E O 有源区 正向阻断区 饱 和 区 反向阻断区 I C U GE(th) U GE O I C U RM U FM U CE U GE(th) U GE 增加 1.4.4 绝缘栅双极晶体管 转移特性 输出特性分为三个区 (2) IGBT 的动态特性 t t t 10% 90% 10% 90% U CE I C 0 O 0 U GE U GEM I CM U CEM t fv1 t fv2 t off t on t fi1 t fi2 t d(off) t f t d(on) t r U CE(on) U GEM U GEM I CM I CM IGBT 的开关过程 2)IGBT 的基本特性 (1) IGBT 的静态特性 3) IGBT 的主要参数 — 正常工作温度下允许的最大功耗 。 (3) 最大集电极功耗 P CM — 包括额定直流电流 I C 和 1ms 脉宽最大电流 I CP (2) 最大集电极电流 — 由内部 PNP 晶体管的击穿电压确定。 (1) 最大集射极间电压 U CES 1.4.4 绝缘栅双极晶体管 开关速度高，开关损耗小。 安全工作区比 GTR 大，且具有耐脉冲电流冲击能力。