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NCE60P82A
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE60P82A uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This
device is well suited for high current load applications.
General Features
● V =-60V,I =-82A
DS D
RDS(ON) 13mΩ @ VGS=-10V Schematic diagram
RDS(ON) 16mΩ @ VGS=-4.5V
● High density cell design for ultra low Rdson
● Fully characterized avalanche voltage and current
● Good stability and uniformity with high EAS
● Excellent package for good heat dissipation
Application
● Load switch Marking and pin assignment
100% UIS TESTED!
100% ∆Vds TESTED!
TO-220-3L top view
Package Marking and Ordering Information
Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity
NCE60P82A NCE60P82A TO-220-3L - - -
Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise noted)
C
Parameter Symbol Limit Unit
Drain-Source Voltage VDS -60 V
Gate-Source Voltage VGS ±20 V
Drain Current-Continuous ID -82 A
Drain Current-Continuous(T =100℃)
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