14 光耦（HS816、HS816S）数据手册1.4.pdf

HS816/HS816S 光电耦合器 ■ 概述 * HS816和HS816S光电耦合器是由一个砷化镓发光二极管芯片和一个NPN型硅光电晶体管构 成。HS816为插件式封装，HS816S为贴片式封装。 ■特点 * 高隔离电压 （BV 5 000 Vr.m.s.) * 高集电极-发射极耐压(VCEO 80 V) * 响应速度快(tr 4us TYP.,tf 3 us TYP.) * 通过UL认证 * 无铅产品，符合ROHS 标准 ■应用 * 信号传输系统 * 可编程控制器件 * 计量设备 * 家用电器 ■内部电路图 1. 阳极 2. 阴极 3. 发射极 4. 集电极 ■ 极限参数 （Tamb 25°C） 参数 符号 额定值 单位 反向耐压 VR 6 V 输入 正向电流 IF 60 mA 功率消耗 P 85 mW 集电极发射极电压 VCEO 80 V 发射极集电极电压 VECO 7 V 输出 集电极电流 IC 50 mA 集电极功耗 PC 150 mW 总功耗 Ptot 200 mW *1 隔离电压 Viso 5000 Vrms 工作温度 Topr -55~+110 °C 存储温度 Tstg -55~+125 °C *2 焊接温度 Tsol 260 °C *1.交流电通电1分钟，相对湿度 40～60% 隔离电压用以下方法测量 (1)将光耦的输入端和输出端两侧管脚分别短接 1 Rev:1.4 2016 HS816/HS816S (2)应使用零交叉电路隔离电压测试仪 (3)施加电压的波形应为正弦波 *2.焊接时长为10s ■光电特性 （Tamb 25°C） 参数 符号 条件 最小值 额定值最大值.单位 正向电压 VF IF 10 mA - 1.2 1.4 V 输入 反向电流 IR VR 4 V -