HY1506DUV中文数据手册.pdfVIP

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2021-06-16 发布于北京
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HY1506D/U/V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description • 60V/55A, RDS(ON)=10.5 m(typ.) @ VGS=10V • Avalanche Rated • Reliable and Rugged S • Lead Free and Green Devices Available G D DD SS GG (RoHS Compliant) S D G TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications  Power Management for Inverter Systems. N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code D U V D : TO-252-2L U : TO-251-3L HY1506 HY1506 HY1506 V : TO-251-3S YYXXXJWW G YYXXXJWW G YYXXXJWW G Date Code Assembly Material YYXXX WW G : Lead Free Device Note: HUAYI lead -free products contain molding compounds/die attach materials and 100% matte tin plate Termination finish;which are fully compliant with RoHS. HUAYI lead -free products meet or exceed the lead- Free requirements of IPC/JEDEC J-STD-020 for MSL classification at lead-free peak reflow temperature. HUAYI defines “Green” to mean lead-free (RoHS compliant) and halogen free (Br or Cl does not exceed