高考物理模拟专题：电磁感应与交变电流模块终结模拟测评.doc

文档 文档 PAGE / NUMPAGES 文档 模块终结测评(一) 本试卷分第Ⅰ卷(选择题)和第Ⅱ卷(非选择题)两部分，共100分，考试时间90分钟． 第Ⅰ卷(选择题　共36分) 一、选择题(本题共9小题，每小题4分，共36分．在每小题给出的四个选项中，有的只有一个选项符合题意，有的有多个选项符合题意，全部选对的得4分，选对但不全的得2分，选错或不答的得0分) 1．(多选)下列应用中与涡流有关的是(　　) A．高频感应冶炼炉 B．金属探测器 C．电磁灶 D．闭合线圈在匀强磁场中转动，切割磁感线产生电流 2．一只“220 V　100 W”的灯泡接在u＝311sin 314t(V)的交变电源上，则下列判断错误的是(　　) A．在1 min内，灯泡上产生的热量是22 000 J B．与灯泡串联的电流表的示数为0.45 A C．与灯泡并联的电压表的示数为220 V D．通过灯泡的电流的表达式为i＝0.64sin 314t(A) 3．关于磁通量，正确的说法有(　　) A．磁通量不仅有大小，而且有方向，所以是矢量 B．在同一匀强磁场中，a线圈的面积比b线圈的大，则穿过a线圈的磁通量一定比穿过b线圈的大 C．磁通量大的磁感应强度不一定大 D．把某线圈放在磁场中的m、n两点，若放在m处的磁通量大，则m处的磁感应强度一定比n处的大 4．长为4L的粗细均匀的金属杆围成一个正方形闭合框架，框架放在光滑的水平桌面上，另一根长为L的同种材料、同样粗细的金属杆ab搁在其上，如图M-1-1所示．匀强磁场垂直穿过框架平面，不计一切摩擦．当金属杆ab获得一个初速度沿框架从左向右运动的过程中(　　) 图M-1-1 A．任一时刻ab杆的加速度大小均是框架加速度大小的4倍 B．任一时刻ab杆的加速度方向均和框架的加速度方向相同 C．ab杆对地做匀减速运动，框架对地做匀加速运动 D．任一时刻ab杆的发热功率均是框架发热功率的eq \f(1,4) 5．(多选)在如图M-1-2(a)所示的虚线框内有匀强磁场，设图示磁场方向为正，磁感应强度随时间变化规律如图(b)所示．边长为l，电阻为R的正方形均匀线框abcd有一半处在磁场中，磁场方向垂直于线框平面，此时线框ab边的发热功率为P，则下列说法正确的是(　　) 图M-1-2 A．磁感应强度B0＝eq \f(T,2l2)eq \r(PR)B．线框中感应电流为I＝2eq \r(\f(P,R)) C．线框cd边的发热功率为P D．a端电势高于b端电势 6．(多选)半导体中参与导电的电流载体称为载流子．N型半导体的载流子是带负电的电子，P型半导体的载流子是带正电的“空穴”．一块厚度为d、底面边长为l的长方体半导体样品，置于方向如图M-1-3所示、磁感应强度大小为B的匀强磁场中，当半导体样品中通以图示方向、大小为I的恒定电流时，样品的上、下底面出现恒定电势差U，且上表面带正电、下表面带负电．设半导体样品中每个载流子带电荷量为q，半导体样品中载流子的密度(单位体积内载流子的个数)用n表示，则下列关于样品材料类型的判断和其中载流子密度n的大小，正确的是(　　) 图M-1-3 A．是N型半导体 B．是P型半导体 C．n＝eq \f(BI,qdU)D．n＝eq \f(BI,qlU) 7．如图M-1-4所示，交流电流表A1、A2、A3分别与电阻R1、电容器C和电感线圈L串联后接在正弦式交流电源上，交流电流表A4与电阻R2串联后接在理想变压器副线圈的两端．如果保持供电电压的最大值不变，而增大供电电压的频率，电流表示数不变的是(　　) 图M-1-4 A．电流表A1和A2B．电流表A1和A4 C．电流表A3和A2D．电流表A3和A4 8．(多选)利用如图M-1-5所示的电流互感器可 图M-1-5 以测量被测电路中的大电流，若互感器原、副线圈的匝数比n1∶n2＝1∶100，交流电流表A的示数是50 mA，则(　　) A．被测电路的电流的有效值为5 A B．被测电路的电流的平均值为0.5 A C．被测电路的电流的最大值为5 eq \r(2)A D．原、副线圈中的电流同时达到最大值 9．随着社会经济的发展，人们对能源的需求日益扩大，节能变得越来越重要．某发电厂采用升压变压器向某一特定用户供电，用户通过降压变压器用电．若发电厂输出电压为U1，输电导线总电阻为R，在某一时段用户需求的电功率为P0，用户的用电器正常工作的电压为U2.在满足用户正常用电的情况下，下列说法正确的是(　　) A．输电线上损耗的功率为eq \f(Peq \o\al(2,0)R,Ueq \o\al(2,2)) B．输电线上损耗的功率为eq \f(Peq \o\al(2,0)R,Ueq \o\al(2,1)) C．若要减少输电线上损耗的功率可以采用更高的电压输电 D．采用更高的电压输电会