Flash芯片市场情况分析.docxVIP

精品文档 精品文档 PAGE PAGE11 精品文档 PAGE Flash芯片市场情况剖析 2016年全球闪存（Flash）的增长动力主要来自终端装 置平均搭载的增加和固态硬盘 （SSD）需求的增长。根据 IC Insights的统计，2016年全球闪存的市场 NAND 闪存占 99%，NOR闪存占 1%。由此可见，近年来 NAND 闪存市 场规模呈现不断上升的态势，而NOR闪存市场规模日趋缩小。目前，NAND闪存正面临着先进制程转进、产品构造变换的重点时期。2016年上半年由于几乎所有的NAND闪存厂商转产3DNAND闪存，致使2DNAND闪存产出减少，而3DNAND闪存又产出有限，再加上智能手机、SSD容 量大增，致使市场求过于供，进而刺激 NAND 闪存市场价 格累积涨幅高达 16%，也是近两年来首次出现价钱大涨。 一、 全球闪存的主要供给厂商全球 NAND 闪存的主要供给厂商 有三星、东芝、  SK  海力士、美光、闪迪和英特尔  6家，其 中前  4家厂商均为  IDM  公司，供给全球  NAND  闪存近 90%  的市场份额。其中，三星受惠于  3DNAND  闪存的制 程技术领先于其他厂商， 加上近年来高容量的 eMMC/eMCP 与SSD发展加速，持续在3DNAND闪存市场份额上列居第1位。目前其14nm制程的eMMC/eMCP已导入新上市的智能手机和平板电脑中，14nm制程的TLC（三层单元）产品也在2016年第一季度送样给模块厂商进行测试。其在未 来的市场竞争中更具优势。东芝在 2015年受供过于求的市 场影响，平均销售价钱下滑13%～14%，市场份额也由2014年占22.2%下滑到2015年仅占18.5%，居全球第2位，由此激发了其发展3DNAND闪存技术的积极性。2016年年初，48层3DNAND闪存开始上市，并增加投资建设新厂， 以期鼎力发展 3DNAND 闪存产品。闪迪在 2015年第四季 度  15nm2DNAND  闪存产出比重为  75%，同时在主力发 展  TLC  产品的情况下，  TLC  产品比重也达  70%，它的包含 SAS、SATA  与  PCTe  接口的公司级  SSD  深受用户好评。 从2016年起，48层3DNAND闪存开始小批量试产。二、 全球闪存的技术发展目前全球NAND闪存产业正处在2D NAND 闪存（平面 NAND闪存）向3DNAND 闪存的转进 期。过去10年，随着2DNAND 闪存制程技术的发展， 制程 技术向着 12nm（12～15nm）逼近，越来越靠近可量产的物 理极限。2DNAND  闪存的存储密度也很难打破  12GB  容量， 自然也不会给生产厂商带来更高的成本效益。此外，  2D  技 术是平面构造，随着存储密度的增加，每个存储单元的电荷 量会下降，相邻存储单元之间的扰乱也会增加，这样会影响 NAND  闪存的性能。在目前发展的  3DNAND  闪存中，  3D 技术采用垂直排列的立体构造，多层围绕式栅极（  GAA  ）结 构形成了多电栅极存储器单元晶体管，能够有效降低堆栈间 的扰乱，使 NAND 闪存性能更为优秀、功耗更低、容量更 大。2016年，NAND闪存供给商向3DNAND 闪存技术推 进迅猛。据业界估计，由于三星、东芝、美光和 SK海力士 等厂商纷繁扩大3DNAND 闪存量产，2016年全球3D NAND闪存占整体 NAND 闪存产能的 15%左右，2017 年将进一步提升到 30%以上。三星和东芝的 3D技术更是 增加到64层堆叠。二、全球 NAND闪存主要厂商的表现 （一）三星自2013年8月三星率先宣布成功推出 3D NAND闪存之后，三星便身先士卒发展3DNAND技术。 2014年年初，三星领先业界采用 24层堆叠量产 3DNAND 闪存，2016年扩大到48层3DNAND 闪存量产。48层相 较于32层堆叠的存储容量可提高 40%，并在 2016年年末 三星的3DNAND 闪存生产比重已提升至 40%。三星除了在 我国西安量产3DNAND闪存，2016年韩国华城 Fab16的 16nm2DNAND闪存芯片生产线改造成 20nm48层3D NAND闪存生产线，并计划再将韩国华城的 Fab17生产线 用于生产3DNAND闪存，以牢固其在 3DNAND闪存市 场上的地位。2016 年，三星在 3DNAND闪存技术上的最 大进展是实现了64层堆叠。该技术单颗 NAND 闪存芯片容 量增加到 512GB，较48层堆叠的存储密度又增加了一倍， 2016  年年末已开始供货。三星还计划在  2017  年鉴于  64 层  3DNAND  闪存推出