PSS的生产工艺及原理.pptx

; PSS介绍 PSS工艺——清洗、光刻、刻蚀 质量标准;蓝宝石应用;Why Patterned Sapphire Substrate;PSS作用： 增加出光效率 减少外延位错密度;PSS examples;图形转移技术-干法刻蚀 ;图形转移技术-湿法腐蚀;纳米压印的工艺;阳极氧化铝（AAO）技术;优势： 图形尺寸小，可以克服曝光缺陷， 过程简单，没有显影，烘烤等步骤。 缺点： 掩模板昂贵。气泡等匀胶缺陷还存 在。纳米PSS需要LED工艺进一步验证。;中镓PSS模型;表：PSS 模型标准;二、PSS制程;二、PSS制程;;1、清洗;1、清洗;1、清洗; 清洗质量直接影响下面的各道工艺，如圆晶表面有残胶等污染在匀胶会产生颗粒，在ICP容易产生盲区死区，蚀刻后再清洗不容易再洗干净；圆晶表面黏附性不好在显影会产生脱胶。故必须严格控制圆晶的清洗，从源头把好关。;2、光刻;2、光刻基本工艺流程;2.1 光刻胶;抗蚀剂有两个基本功能：精确图形形成和刻蚀时保护衬底;2.2 表面处理;2.3 涂胶; ;2.3 涂胶质量标准;2.4 前烘;2.4 前烘;2.5 对准曝光;2.5 曝光工艺控制;2.5 曝光工艺——能量;2.5曝光工艺——DOF;2.5 曝光工艺——ALIGNMENT;三角;2.6 后烘;2.7 显影;2.8 坚膜;;2.9 光刻质量检查;3、刻蚀;3、ICP;ICP设备腔体示意图;：;;3.3 刻蚀工艺控制;;产品测试位置;图形高度H：1.35±0.15um 图形底径B：2.45±0.25um 图形间S：0.55±0.25um 片内图形高度、底径均匀性≤5% 间距均匀性≤10% ;死区;图形不规则;彩纹数据;不同马赛克情况PSS衬底LED波长均匀性比较; 无马赛克 轻度马赛克 重度马赛克;尺寸缺陷 平均高度 H 1.2um，1.8um；底径B2.2um或2.7um；间距S0.8um或0.3um ； 外观缺陷 ????? 关于边宽：边宽 2mm，彩纹2mm，边宽+彩纹?2 mm； ???? ?以面积为单位：刮伤、死区、污染、匀胶缺陷，累计面积10m㎡ ； ??????以曝光场为单位：3.5mm x 3.5mm 曝光场的严重马赛克（马赛克场5个或存在严重突出马赛克的）； ????? 以晶片完整：晶片缺损（如：边沿缺损），碎片（设备故障、人为操作、晶片不良等原因导致）； ;AA品：0分； A品：尺寸符合A标准，外观缺陷为1—2分者 A2品：尺寸符合A2标准、外观缺陷为0—2分且不构成不合格者 A3品：尺寸符合A3标准、外观缺陷为0—2分且不构成不合格者 B1品：单个缺陷分值在3分及以上，含1类外观缺陷且不构成不合格者 B2品：累计缺陷分值在3分及以上，含2类外观缺陷且不构成不合格者 B3品：累计缺陷分值在3分及以上，含3类及以上外观缺陷且不构成不合格者 ;台湾兆巍科技股份有限公司—PSS检测标准