北大半导体器件物理课件第四章6速度饱和 热载流子效应.pdfVIP

半导体器件物理 MOSFET （五） 速度饱和 热载流子效应 半导体器件物理 推导萨方程的基本假定 • 推导萨方程的前提：十个基本假定 1. 衬底均匀掺杂 2. 长、宽沟器件（可以不考虑边缘效应） 3. 反型层内载流子迁移率等于常数不考虑强场迁移率调制效 应。实际上，由于各点电场不一样，迁移率并不等于常 数。 4. SiO 层电荷面密度Q 等于常数 2 OX 5. 忽略源、漏区体电阻及电极接触电阻上的电压降 6. 忽略源、漏PN结及场感应结的反偏漏电流 7. 强反型近似成立（即三个远大于，三个不变） 8. 沟道导通时漂移电流远大于扩散电流 9. 缓变沟道近似（GCA ）成立 半导体器件物理 载流子漂移速度与电场关系 半导体器件物理 速度饱和效应和两区模型 对于一定的漏偏电压V →L ↓→ 沿沟道电场（ ）y ↑→最终导致 DS ξ 载流子速度饱和 （1）速度饱和效应 v ξ 电子漂移速度和电场的关系，低场下 和 成正比， 比例系数是迁移率μn 。电场增加到ξsat ， v 达到饱和 速度 vs 。高场下 v和ξ 的关系可用如下经验公式： μξ n y v ξy (1) 1+ ξsat 半导体器件物理 4 μ ξ Si ×V cm n低场迁移率， sat 速度饱和临界电场，在 5 中约为10 / (1) 可写为： dV dy μn v 1 dV (2) 1+ ξ dy sat （2 ）代入漂移电流公式 I Z Q v ( )− (3) D n 其中Q 用近似公式 n 半导体器件物理 Q C V