半导体物理学(刘恩科)第六第七版第1234578章完整课后题答案.docx

第一章习题 1 ．设晶格常数为 a 的一维晶格， 导带极小值附近能量 E c (k) 和价带极大值附近能量 E V(k) 分别为： EC （ K ） =  h2k 2 3m0  h 2( k m0  k ) 2  , EV ( k )  h k 1 2 26m 2 2  3h 2 k 2 m0 1m0 为电子惯性质量， k1 1 , a 0.314 nm。试求： a （1 ）禁带宽度 ; （ 2 ）导带底电子有效质量 ; （ 3 ）价带顶电子有效质量 ; （ 4 ）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：（ 1 ） 导带： 2 2 k 由 2 2 (k k1 ) 0 3m0 m0 k1得： k 3 k 1 4 d 2 E  2 2 2 2 8 2 又因为： c dk2 3m0 m0 0 3m0 所以：在 k 价带： 3 k处， Ec取极小值 4 dEV 6 2 k  0得k 0 dk 又因为 m0 Vd 2 E V dk 2  6 0, 所以k 2m 2  0处， EV  取极大值 因此： Eg 0 223 k1 2 2 EC ( k1 ) EV (0) 0.64eV 4 12m0 m* 2 3 nCm0 nC Cd 2 E 8 C k1dk 2 k 3 k 1 4 m*  2 nVVd 2 E nV V dk 2 m0 6 k 01 准动量的定义： p k 所以： p ( k) 3 k k ( k ) k 0 3 k1 0 4  7.95 10 25 N / s 4 1 2. 晶格常数为 0.25nm 的一维晶格，当外加 10 2V/m ， 10 7 V/m 的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 解：根据： f k k qE h 得 t t qE t1 1.6 t 2 1.6 (0 ) a 10 19 (0 ) 19a 19 10  10 2 710 7  8.27 8.27  10 8 s 10 13 s 补充题 1 分别计算 Si（ 100 ），（ 110 ），（ 111 ）面每平方厘米的原子个数，即原子面密度（提示：先画出各晶面原子的位置和分布图） Si 在（ 100 ），（ 110 ）和（ 111 ）面上的原子分布如图 1 所示： （a ）(100) 晶面 （b ） (110) 晶面 （ c） (111) 晶面 41 4 1 4 （100）： 2 a 2 4 1  2 a 2 (5.43 2 1  2 10 8 ) 2  6.78  1014 atom / cm2 （110）： 4 （111）： 4 2 2a a 1 2 1 2 4 2 3 a 2a 2 4 2a 2 4 3a 2 9.59 7.83 1014 atom / cm 2 1014 atom / cm2 补充题 2 一维晶体的电子能带可写为  2 7 E（ k ) 2 ( ma 8  cos ka  1 cos 2ka) ， 8 式中 a 为 晶格常数，试求 （ 1）布里渊区边界； （ 2）能带宽度； （ 3）电子在波矢 k 状态时的速度； m*（ 4）能带底部电子的有效质量 n ； m * m* m （5 ）能带顶部空穴的有效质量 p 解：（ 1 ）由 dE (k) dk 得 k n a （ n=0 ， 1 ， 2 ） 进一步分析 k (2 n 1) ，E （k ）有极大值， a E（ k) 2 2 MAX ma 2 k 2n 时， E（ k ）有极小值 a 所以布里渊区边界为 k (2n 1) a 2 2 能带宽度为 E（ k)  MAX E(k)  MIN ma 2 (3 ）电子在波矢 k 状态的速度 v 1 dE dk (sin ka ma 1 sin 4 2ka) （4 ）电子的有效质量 2 m m* m n d 2 E dk 2  (cos ka 2n 1 cos 2ka) 2 * 能带底部 k a ( 2n 所以 mn 2m 1) (5) 能带顶部 k ， a * * 且 mp mn ， 所以能带顶部空穴的有效质量 * 2m mp m 3 半导体物理第 2 章习题 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？ 答：（1 ）理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。 （ 2 ）理想半导体是纯净不含杂质的，实际半导体含有若干杂质。 （ 3 ）理想半导体的晶格结构是完整的，实际半导体中存在点缺陷，线缺陷和面缺陷 等。 以 As 掺入 Ge 中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和 n 型半导体。 As 有