硅集成电路-热氧化技术.ppt

第三章：热氧化技术; 3.1. 二氧化硅及其在器件中的应用 3.1. 1. SiO2 的结构和基本性质 1）结构: 结晶形二氧化硅（石英晶体） （2 . 65g/cm3） 无定形（非晶）二氧化硅（石英玻璃） （ 2 . 20g/cm3）;硅集成电路-热氧化技术;C：不含杂的石英玻璃; ;硅有四个共价键，氧有两个；氧易运动； 非桥联的原子将由其悬挂键引入电荷态； 单价的氢原子与非桥联的氧形成羟基而减少悬挂键的数目，引入氢钝化的概念；但羟基的键能较低容易断裂； 桥联氧的数目与非桥联氧的数目之比直接影响SiO2的疏松程度，进而影响许多物理性质； 杂质在SiO2中可以是网络的形成剂（Net-work Former）如：B、P、Al等；也可以是网络的改变剂（Net-work Modifer）如：Na、K、Ca、Al等；;2）化学性质： SiO2+4HF?SiF4+2H2O SiF4+2HF ?H2(SiF6) 即： SiO2+6HF?H2(SiF6)+2H2O 六氟硅酸溶于水 腐蚀速度与SiO2膜的质量有关 ;3）物理性质：;密度：密度与氧化方式有关 ;折射率：与密度有关 <1.46 (5500?) 电阻率：与密度及含杂量有关，<1016?cm 介电常数：与密度有关, <3.9 介电强度：与密度、含杂量及缺陷有关, 106~107V/cm TDDB实验 *! 杂质扩散系数: (热扩散章节） ;硅集成电路-热氧化技术;杂质分凝系数： ;3.2. SiO2膜在器件中的基本作用 1) SiO2膜对杂质的掩蔽作用 利用杂质在SiO2膜中的扩散系数较小，和SiO2膜的热稳定性，实现定域掺杂。 掩蔽过程中的分凝效应;Oxide Layer Dopant Barrier ; 2）对器件的表面的保护和钝化作用 利用SiO2膜的绝缘作用，将pn结与外界隔离，提高稳定性和可靠性；利用对SiO2膜 中固定电荷的控制，改变器件表面的电场分布。 3）对器件的电绝缘和隔离作用 利用SiO2膜的绝缘作用，实现引线与元器件间的绝缘，实现集成电路元器件间的隔离。;Field Oxide Layer ;4）用作电容器的介质材料 SiO2膜的介电常数在10kHz下工作时为3~4，损耗因数为10-1~10-3，击穿电压高，温度系数小。 5）MOSFET的绝缘栅介质 6）光电和发光器件的减反膜; Oxide Applications: Field Oxide; Oxide Applications: Gate Oxide;Oxide Applications: Barrier Oxide; Oxide Applications: Dopant Barrier; Oxide Applications: Pad Oxide;Oxide Applications: Implant Screen Oxide;Passivation layer;3.3. SiO2膜的热氧化方法（干、湿、水汽、高压、掺氯、低温） 1）器件对氧化膜的基本要求 致密、杂质缺陷少（体内活动和固定电荷少）、Si/SiO2界面态密度小。 2）干氧氧化 Si+O2?SiO2 特点：致密、杂质缺陷少、Si/SiO2界面态密度小、疏水性好;硅集成电路-热氧化技术;3）水汽氧化 Si+2H2O ?SiO2+2H2? 实际过程较复杂 水汽氧化的氧化速度快，较疏松，掩蔽能力差，疏水性差。 ;硅集成电路-热氧化技术;4）湿氧氧化 干氧与湿氧混和 质量介于前两种之间 在作为掩膜和介质隔离的氧化膜，常采用 干 湿 干 工艺 ;硅集成电路-热氧化技术;5）H2、O2合成氧化 特点：质量接近干氧氧化，氧化速度接近水汽氧 化。 6）掺氯氧化 干氧氧化时，加入少许（?1%）HCl、Cl2或TCE（三氯乙烯） 特点：能有效地钝化氧化膜中的可动正离子； 降低界面态浓度； 抑制氧化层错的生长； 氧化速率增加； 可以利用[Cl]清除杂质；;HCl;7）高压氧化(HIPOX) High Pressure Oxidation ~25 atm、生长速度快、可低温生长（~600°C） 主要用于场氧化和隔离氧化; 8) 低压氧化 有效地控制（降低）氧化速率（？） 9