2020年半导体行业砷化镓、碳化硅专题研究.pdfVIP

2020 年半导体行业砷化镓、 碳化硅专题研究 报告综述 化合物半导体在射频、光电子和功率领域有望获得大发展：化合 物半导体材 料在电子迁移速率、临界击穿电场、导热能力等特性上 具有独特优势。砷化 镓 PA 平均单机价值从 4G 的 3.25 美元增加 至 5G 的 7.5 美元，砷化镓晶圆 市场规模从 2019 年的 2 亿美元 提升至 2025 年的 3.5 亿美元，核心受益环节 是代工厂和射频 IDM ； 氮化镓具有更高功率密度和更小损耗，GaN HEMT 相比砷化镓体积下 降 82%，是 5G 宏基站 PA 的最佳材料，行业发展的核心 受益环节 是外延片厂商和射频 IDM ；碳化硅降低电动车能耗 5%-10%，缩小 整 体模块体积 80% （以丰田 PCU 为例），降低电池成本，缩短电池充电 时 间, 适应电动车电压从 500V 左右向 1200V 发展的高压化趋势, 预计到 2027 年碳化硅功率器件市场规模超过 100 亿美元，行业发 展的核心受益环节是衬 底生产厂商。 GaAs 代工比例提高，本土代工厂迎来发展机会：化合物半导体 因为行业整 体规模较小，非标准化程度高，以代工模式为主。欧美 主导砷化镓产业链， 中国台湾厂商垄断代工。日本的住友、德国的 Freiberger 和美国的 AXT 三家合 计约占全球半绝缘型衬底 90%的 市场份额。英国 IQE 占据外延片市场 53% 的市场份额。IDM 厂商 Skyworks、Qorvo 和博通合计占 GaAs 射频器件市 场约 70%市场份 额。砷化镓代工占全球砷化镓器件市场规模 10%左右，而 稳懋占据 其中超过 70%市场份额。IDM 长为了维持高产能利用率使得产能 建 设趋于保守，有意愿释放出更多代工订单，叠加高通等 Fabless 设 计公司 在射频领域崛起使代工比例提升。国内 PA 设计公司如海思、 唯捷创芯的成 长促进对本土砷化镓代工厂需求。 SiC 全球供需即将失衡，跨过“奇点时刻”有望迎来大发展：碳 化硅成本高 昂及可靠性问题是阻碍碳化硅发展的最大障碍。两年之 内，电动车的快速发 展或将造成全球碳化硅衬底的供需失衡。假设 未来五年碳化硅模块价格每年 下降 10%，IGBT 价格每年下降 5%， 电池成本每年下降 10%，中性预计全 碳化硅方案相比硅方案能降低 能耗 8%，我们测算在 2025 年碳化硅将迎来 综合成本低于硅功率器 件的 “奇点时刻”，之后迎来爆发增长。碳化硅成本 结构使得全产 业链布局具有优势，器件厂商也逐渐布局上游材料。在颠覆汽 车功 率器件进程中，目前车载领域市占率超过 80%的 Cree 有望成为最大 赢 家，而国内企业也在相关领域积极布局。 一、下游应用驱动，GaAs、GaN 和 SiC 各领风骚 1.化合物半导体具有物理特性优势 化合物半导体物理特性具有独特优势。半导体材料领域共经历三 个发展阶 段：第一阶段是以硅、锗为代表的 IV 族半导体；第二阶 段是以 GaAs 和 InP 为 代表的 III-V 族化合物半导体，其中 GaAs 技术发展成熟，主要用于通讯领域；第三阶段主要是以 SiC、GaN 为 代表的宽禁带半导体材料。硅材料技术成熟， 成本低，但是物理性 质限制了其在光电子、高频高功率器件和耐高温器件上的 应用。相 比硅材料，化合物半导体材料在电子迁移速率、临界击穿电场、导热 能力等特性上具有独特优势。 硅材料主导，化合物半导体在射频、功率等领域需求快速增长。 目前全球 95%以上的芯片和器件是以硅作为基底材料，由于硅材料极 大的成本优势，未来 在各类分立器件和集成电路领域硅仍将占据主 导地位。但是化合物半导体材料独 特的物理特性优势，赋予其在射 频、光电子、功率器件等领域的独特性能优势。 2.GaAs 主导 sub-6G 5G 手机射频 具体而言，GaAs 在 5G 手机射频和光电子领域占据主导地位。 GaAs 是最 为成熟的化合物半导体，具有较高的饱和电子速率及电子 迁移率，使得其适合 应用于高频场景，在高频操作时具有较低的噪 声；同时因为 GaAs 有比 Si 更高 的击穿电压，所以砷化镓更适合 应用在高功率场合。因为这些特性，砷化镓在 sub-6G 的 5G 时代， 仍然将是功率放大器及射频开关等手机射频器件的主要材 料。根据 Qorvo 报告，5G 手机中射频开关从 4G 手机的 10 个增加至 30 个、 功率放大器平均单机价值从 4G 手机的 3.25 美