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面向先进刻蚀工艺的脉冲等离子体技术;目 录;一、采用脉冲等离子体技术的必要性;等离子体刻蚀过程的复杂性
外在因素:
(1)电源参数(功率、频率、波形);
(2)腔室结构及材料;
(3)气压及气体组分。
内在因素:
(1)多相过程:气相、固相;
(2)多尺度过程:主等离子体、鞘层、刻蚀槽、原子层;
(3)多场耦合:电场、热场、流场、等离子体、化学反应;
(4)多组分:带电粒子、活性基团、中性粒子
;Frequency, power,
waveform
;晶圆的尺寸原来越大:300 mm ? 450 mm
刻蚀的线宽越来越细:22 nm ? 15nm;
(1)Inductively coupled plasmas (ICPs)
(2)Electron cyclotron resonance (ECR) plasmas
(3)Helicon wave plasmas
(4)Very-high –frequency coupled plasmas;Samer Banna and Ankur Agarwal,
J. Vac. Sci. Technol. A 30(4), Jul/Aug 2012;但是对于这种低气压高密度等离子体,器件也将面临等离子体引起的损伤(plasma induced damage,PID)。PID主要来自:;脉冲调制等离子体减小 PID 的优势:
脉冲调制等离子体具有更低的电子温度和等离子体密度;
在固定的脉冲调制参数会导致 过辉光时鞘层的崩塌,使电荷分布更加均匀;
刻蚀中可以灵活控制轰击到基片上的离子能量;
更低的紫外辐射;
灵活控制轰击基片的离子流组成,脉冲放电时主要由分子离子组成,而连续波放电时主要由原子离子组成。;3. 脉冲RF放电等离子体; ? 过去三十年的实验和理论研究表明:时间调制RF源,或脉冲RF放电模式,可以增加对等离子体工艺的控制性。
对于脉冲RF电源,有两个主要的特征参数:脉冲频率和脉冲占空比比。 ; 从1980s开始,人们就在实验室里开始研究脉冲RF放电,并评估脉冲等离子体技术在与微电子工业相关的材料处理工艺中的应用。研究显示这种放电等离子体有希望可以解决刻蚀工艺中所面临的一些典型问题。例如:
(1)在后辉光(after glow)阶段,低能离子有很宽的角度分布,这有助于中和差分电荷。
(2)在后辉光阶段,负离子可以被注入到刻蚀槽的底部,从而可以中和沉积的正电荷。
(3)脉冲等离子体可以减少光子辐射造成的损伤。
(4)脉冲等离子体还可以控制沉积过程。
;一般地讲,有如下四种脉冲放电模式:
(1)主电源是脉冲的,偏压电源是连续的波;
(2)主电源是连续波的,偏压电源是脉冲的;
(3)主电源和偏压电源都是脉冲的,但是同步的;
(4)主电源盒脉冲电源都是脉冲的,但它们是不同步的,有一个相位差。 ;;(1)脉冲初期:电子能量高,密度小,离子密度小,轰击基片的离子流密度小。
(2)脉冲后期:电子,离子密度达到稳态。离子密度高。类似连续放电。不过在高脉冲频率和低的占空比时不能达到。
(3)后辉光前期:电子,离子迅速减少。电势,电子温度也迅速降低。
(4)后辉光后期:电子离子密度很低,并且维持稳态。在电负性放电中,等离子体主要由正离子和负离子组成)。;不考虑偏压存在的情况:
(1)在前辉光期,离子轰击到基片上的能量接近等离子体势(15-30 eV);在后辉光期,离子的能量在1eV左右。
(2)在后辉光期,鞘层塌缩,离子的角分布变宽,有利于中和刻蚀槽顶部的负电荷;同时,也允许负离子进入槽的底部,中和正离子。
(3)在后辉光区,由于电子温度快速下降,则电子碰撞引起的分子离解减少,降低活性基团的产生。;Temporal dynamics of (a) electron density and (b) electron temperature in Ar plasma with a peak ICP power of 500W pulsed at 10 kHz for duty cycles of 30%–70%.;O. Zabeida and L. Martinu, J. Appl. Phys. 85, 6366 (1999).;电负性等离子体(Cl2 放电);T H Ahn et al., Negative ion measurements and etching in a pulsed-power inductively coupled plasma in chlorine
Plasma Sources Sci. Technol. 5 (1996) 139–144.;Temporal varia
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