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【低功耗】FPGA 的功耗概念与低功耗设计研究
摘要 : 随着半导体工艺的飞速发展和芯片工作频率的提高,芯片的功耗迅速增加, 而功耗增
加又导致芯片发热量的增大和可靠性的下降。 因此,功耗已经成为深亚微米集成电路设计中
的一个重要考虑因素。本文围绕 FPGA 功率损耗的组成和产生原理,从静态功耗、动态功
耗两大方面出发,分析了影响 FPGA 功率耗散的各种因素,并通过 Actel 产品中一款低功耗
的 FPGA 进一步进行说明。最后提出了在 FPGA 低功耗设计中的一些问题。
引言
芯片对功耗的苛刻要求源于产品对功耗的要求。 集成电路的迅速发展以及人们对消费类
电子产品 —— 特别是便携式 (移动)电子产品 —— 的需求日新月异, 使得设计者对电池供电
的系统已不能只考虑优化速度和面积, 而必须注意越来越重要的第三个方面 —— 功耗,这样
才能延长电池的寿命和电子产品的运行时间。 很多设计抉择可以影响系统的功耗, 包括从器
件选择到基于使用频率的状态机值的选择等。
1 FPGA 功耗的基本概念
(1) 功耗的组成
功耗一般由两部分组成:静态功耗和动态功耗。静态功耗主要是晶体管的漏电流引起,
由源极到漏极的漏电流以及栅极到衬底的漏电流组成; 动态功耗主要由电容充放电引起, 其
主要的影响参数是电压、节点电容和工作频率,可以用式( 1)表示 [1] 。
(2 ) 静态功耗
静态功耗主要是由漏电流引起。 漏电流是芯片上电时, 无论处于工作状态还是处于静止
状态,都一直存在的电流,来源于晶体管的三个极,如图 1所示。它分为两部分,一部分来
自源极到漏极的泄漏电流 ISD ,另一部分来自栅极到衬底的泄漏电流 IG 。漏电流与晶体管
的沟道长度和栅氧化物的厚度成反比 [2] 。
图1 静态功耗的组成
源极到漏极的泄漏电流是泄漏的主要原因。 MOS 管在关断的时候,沟道阻抗非常大,
但是只要芯片供电就必然会存在从源极到漏极的泄漏电流。 随着半导体工艺更加先进, 晶体
管尺寸不断减小,沟道长度也逐渐减小,使得沟道阻抗变小,从而泄漏电流变得越来越大,
而且源极到漏极的漏电流随温度增加呈指数增长。
(3) 动态功耗
动态功耗主要由电容充放电引起, 它与 3个参数有关: 节点电容、 工作频率和内核电压,
它们与功耗成正比例关系。如式( 1)所示,节点电容越大,工作频率越高,内核电压越大,
其动态功耗也就越高。而在 FPGA 中动态功耗主要体现为存储器、内部逻辑、时钟、 I/O 消
耗的功耗。在一般的设计中,动态功耗占据了整个系统功耗的 90% 以上,所以降低动态功耗
是降低整个系统功耗的关键因素。
(4 ) 降低功耗带来的好处
① 低功耗的器件可以实现更低成本的电源供电系统。另外,更简单的电源系统意味着
更少的元件和更小的 PCB 面积,同样可以降低成本 [3] 。
② 更低的功耗引起的结温更小,因此可以防止热失控,可以少用或不用散热器,如散
热风扇、散热片等。
③ 降低功耗可以降低结温,而结温的降低可以提高系统的可靠性。另外,较小的风扇
或不使用风扇可以降低 EMI[3] 。
④ 延长器件的使用寿命。器件的工作温度每降低 10 ℃,使用寿命延长
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