IGBT的工作原理和工作特性要点.pdf

IGBT的工作原理和工作特性 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给 PNP晶体 管提供基极电流，使 IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道， 流过反向基极电流，使 IGBT关断。 IGBT 的驱动方法和 MOSFET基本 相同，只需控制输入极 N一沟道 MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。 当 MOSFET的沟道形成后，从 P+基极注入到 N 一层的空穴（少子）， 对 N一层进行电导调制，减小 N一层的电阻，使 IGBT在高电压时， 也具有低的通态电压。 IGBT 的工作特性包括静态和动态两类： 1．静态特性 IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。 IGBT的伏 安特性是指以栅源电压 Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的 关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压 Ugs 的控制， Ugs越高，Id 越 大。它与 GTR的输出特性相似．也可分为饱和区 1、放大区 2 和击穿 特性 3 部分。在截止状态下的 IGBT，正向电压由 J2 结承担，反向电 压由 J1 结承担。如果无 N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样 水平，加入 N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此 限制了 IGBT 的某些应用范围。 IGBT 的转移特性是指输出漏极电流 Id 与栅源电压 Ugs之间的 关系曲线。它与 MOSFET的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压 Ugs(th) 时， IGBT处于关断状态。在 IGBT导通后的大部分漏极电流 范围内， Id 与 Ugs 呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制， 其最佳值一般取为 15V左右。 IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源 电压之间的关系。 IGBT处于导通态时，由于它的 PNP晶体管为宽基 区晶体管，所以其 B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过 MOSFET的电流成为 IGBT总电流的主要部分。 此时，通态电压 Uds(on) 可用下式表示 : Uds(on) ＝Uj1 ＋Udr＋IdRoh （2 － 14） 式中 Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为 0.7 ～IV ； Udr ——扩展电阻 Rdr 上的压降； Roh——沟道电阻。 通态电流 Ids 可用下式表示： Ids=(1+Bpnp)Imos (2 －15） 式中 Imos——流过 MOSFET的电 流。 由于 N+区存在电导调制效应，所以 IGBT 的通态压降小，耐压 1000V 的 IGBT通态压降为 2～3V。IGBT处于断态时，只有很小的泄漏电流 存在。 2．动态特性 IGBT在开通过程中，大部分时间是作为 MOSFET来运行的，只是在漏 源电压 Uds 下降过程后期， PNP晶体管由放大区至饱和，又增加了一 段延迟时间。 td(on) 为开通延迟时间， tri 为电流上升时间。实际应 用中常给出的漏极电流开通时间