宁波大学（博士）专业课真题2604半导体器件B 2015年.pdfVIP

宁波大学2015年攻读博士学位研究生 (B ) ) 入 学 考 试 试 题 卷 (答案必须写在答题纸上 考试科目: 半导体器件 科目代码： 2604 适用专 : 微纳信息系统 一、 单项选择题：本大题共5小题，每小题5分，共25分。在每小题列出的四个 选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填在题前的括号内。错选、多 选或未选均不得分。 ( )1. 在半导体太阳能电池中，关于暗电流说法正确的是 A. 没有光照时电 B. 由外加偏压产生 C. 其方向与光电流方向相同 D. 由光生电压降落在势垒区而产生 ( )2.CCD正常工作时，其MOS单元半导体表面所处状态是 A. 强反型 B. 多子积累 C. 深耗尽 D. 多子耗尽 ( )3. 在以下复合跃迁中，非辐射复合跃迁是 A. 带间复合 B. 激子复合 C. 俄歇复合 D. 不存在 ( )4. 与LED量子效率有关的因素有 A. 结两侧参杂浓度 B. 结深 C. 表面反射 D. 以上都有关 ( )5. 太阳能电池工作时，对应P-N结内部处于： A. 正偏电压 B. 反偏电压 C. 没有电压 D. 耗尽 第 1 页 共 2 页 宁波大学2015年攻读博士学位研究生 (B ) ) 入 学 考 试 试 题 卷 (答案必须写在答题纸上 考试科目: 半导体器件 科目代码： 2604 适用专 : 微纳信息系统 二 问答题(共35分) 1. 采用载流子扩散与漂移的观点分析PN结的单向导电性。(10分) 试述 双极型晶体管的四种工作模式。 分 2. NPN (15 ) 3. 试述金属-半导体接触：肖特基接触与欧姆接触的各自特点。(10分) 三．计算与推导(共40分) 18 -3 15 -3 1. 计算一硅p-n结在300K时的内建电势，其N ＝10 cm 和N ＝10 cm ．(10分) A D 2. 一理想晶体管其发射效率为0.999，集基极漏电流为10μA，假设I=0，请算出由空穴所形成的 B 放大模式发射极电流。 (15分) 3. 简述评估太阳能电池器件性能的四个基本参数 ，那些因素会影响太阳能电池器件性能（15分） 第 2 页 共 2 页