电子技术基础章节习题解析.pdf

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第1章 检测题 (共100分,120分钟) 一、填空题:(每空0.5分,共25分) 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自 由电子 ,少数载流子为空穴 ,不能移动的杂质离子带正 电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微 量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ,少数载流子为 自由电子 ,不能移动的 杂质离子带 负 电。 2、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极管 对外引出的电极分别是 发射 极、 基 极和 集电 极。 3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向 相反 ,有利于 多数载流子 的 扩散 运动而不利于 少数载流子 的 漂移 ;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向 一致 , 有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ,这种情况下的电流称为 反向饱和 电流。 4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由 P 向 N 区进行扩散,N型半导体中的多数 载流子由 N 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区 ,其方向由 N 区指向 P 区。 空间电荷区 的建立,对多数载流子的 扩散 起削弱作用,对少子的 漂移 起增强作用, 当这两种运动达到动态平衡时, PN结 形成。 5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的R×1K 档位,当检测时表针偏转度较大时,与红表棒 相接触的电极是二极管的 阴 极;与黑表棒相接触的电极是二极管的 阳 极。检测二极管好坏时,两表 棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被 击穿 ;两表棒位置调换前后万用表指针 偏转都很小时,说明该二极管已经 绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为 场效应(MOS) 管。其导电沟道分有 N 沟道和 P 沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的 面 接触型 硅晶体 二极管,正常工作应在特性曲线的 反向击穿 区。 8、MOS管在不使用时应避免 栅 极悬空,务必将各电极短接。 二、判断正误:(每小题1分,共10分) 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。 (错) 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 (对) 3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。 (错) 4 、PN 结正向偏置时,其内外电场方向一致。 (PN 结反向偏置时,其内外电场方向一致 ) (错) 5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。 (错) 6、双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。 (对) 7、二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿。 (错) 8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I 时,该管必被击穿。 (错) CM 9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。 (错) 10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同,因此可以互换使用。 (错) 三、选择题:(每小题2分,共20分) 1、单极型半导体器件是( C )。 A、二极管; B、双极型三极管; C、场效应管; D、稳压管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的( A )元素构成的。 1 A、三价; B、四价; C、五价; D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是( C )。 A、导通状态; B、截止状态; C、反向击穿状态; D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管( C )。 A、已经击穿; B、完好状态; C、内部老化不通; D、无法判断。 5、PN结两端加正向电压时,其正向电流是(

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180****2153
该用户很懒,什么也没介绍

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