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— PAGE \* Arabic 1 — DS18B20温度测量与控制实验报告   课程实训报告  《单片机技术开发》  专业：机电一体化技术  班级： 104201 学号：姓名：杨泽润  浙江交通职业技术学院机电学院  2012年5月29日  目录  一、DS18B20温度测量与控制实验目的……………………  二、DS18B20温度测量与控制实验说明……………………  三、DS18B20温度测量与控制实验框图与步骤……………………  四、DS18B20温度测量与控制实验清单……………………  五、DS18B20温度测量与控制实验原理图…………………  六、DS18B20温度测量与控制实验实训小结………………  1.了解单总线器件的编程方法。  2.了解温度测量的原理，掌握DS18B20 的使用。  本实验系统采用的温度传感器DS18B20是美国DALLAS公司推出的增强型单总线数字温度传感器。  Dallas 半导体公司的数字化温度传感器DS1820是世界上第一片支持“一线总线”接口的温度传感器。现场温度直接以“一线总线”的数字方式传输，大大提高了系统的抗干扰性。适合于恶劣环境的现场温度测量，如：环境控制、设备或过程控制、测温类消费电子产品等。与前一代产品不同，新的产品支持3V～5.5V的电压范围，使系统设计更灵活、方便。DS18B20测量温度范围为-55°C～+125°C，在-10～+85°C范围内,精度为±0.5°C。DS18B20可以程序设定9～12位的分辨率，及用户设定的报警温度存储在EEPROM中，掉电后依然  保存。   DS18B20 内部结构  DS18B20 内部结构主要由四部分组成：64 位光刻ROM、温  度传感器、非挥发的温度报警触发器TH 和TL、配置寄存器。  DS18B20 的管脚排列如下:  DQ 为数字信号输入/输出端；GND 为电源地；VDD 为外接  供电电源输入端（在寄生电源接线方式时接地）。  光刻ROM 中的64 位序列号是出厂前被光刻好的，它可以  看作是该DS18B20 的地址序列码。64 位光刻ROM 的排列是：  开始8 位（28H）是产品类型标号，接着的48 位是该DS18B20  自身的序列号，最后8 位是前面56 位的循环冗余校验码  （CRC=X8+X5+X4+1）。光刻OMR 的作用是使每一个DS18B20  都各不相同，这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20 的目  的。  DS18B20 中的温度传感器可完成对温度的测量，以12 位转化为例:用16 位符号扩展的二进制补码读数形式提供，以0.0625℃/LSB形式表达，其中S 为符号位。   这是12 位转化后得到的12 位数据，存储在18B20的两个8 比特的RAM 中，二进制中的前面5 位是符号位，如果测得的温度大于0，这5 位为0，只要将测到的数值乘于0.0625 即可得到实际温度；如果温度小于0，这5 位为1，测到的数值需要取反加 1 再乘于0.0625 即可得到实际温度。  例如+125℃的数字输出为07D0H，+25.0625℃的数字输出为0191H，-25.0625℃的数字输出为FF6FH，-55℃的数字输出为FC90H。   DS18B20 温度传感器的存储器  DS18B20 温度传感器的内部存储器包括一个高速暂存RAM 和一个非易失性的可电擦除的E2RAM,后者存放高温度和低温度触发器TH、TL 和结构寄存器。  暂存存储器包含了8 个连续字节，前两个字节是测得的温度信息，第一个字节的内容是温度的低八位，第二个字节是温度的高八位。第三个和第四个字节是TH、TL 的易失性拷贝，第五个字节是结构寄存器的易失性拷贝，这三个字节的内容在每一次上电复位时被刷新。第六、七、八个字节用于内部计算。第九个字节是冗余检验字节。  该字节各位的意义如下：   低五位一直都是 1 ，TM是测试模式位，用于设置DS18B20在工作模式还是在测试模式。在DS18B20 出厂时该位被设置为0，用户不要去改动。R1 和R0 用来设置分辨率，如下表所示：（DS18B20 出厂时被设置为12 位）  分辨率设置表:   根据DS18B20 的通讯协议，主机控制DS18B20 完成温度转换必须经过三个步