超大规模集成电路技术基础.pptxVIP

5.2干法刻蚀（等离子体辅助刻蚀）5.2.1 等离子体原理等离子体：一种部分或全部离子化的气体，其中含有等量正负性电荷， 以及不同数量的未离化分子。有效离化率：等离子体中的电子密度与分子密度之比。5.2.2等离子体辅助刻蚀机制（1）刻蚀步骤（五个基本步骤）生成刻蚀微粒 扩散至反应表面 吸附 物理或化学反应 可挥发化合物排出 黄君凯 教授图5-4 干法刻蚀机制（2）刻蚀方式溅射刻蚀（物理刻蚀）：接受等离子体中正性离子高速轰击的电极上 放置准备刻蚀的晶片，是一种纯动量转移的 物理性离子轰击。【优点】各向异性佳。（激发态中性粒子，强化学活性）【缺点】选择性差，轰击带来损伤。等离子体刻蚀（化学刻蚀）：等离子体中的中性反应微粒（形成自由 基）与薄膜间的相互化学作用形成挥发 性物质。【优点】选择性好，刻蚀率高。【缺点】各向异性差。被刻蚀薄膜黄君凯 教授图5-5刻蚀方式 反应离子刻蚀（RIE）：介于溅射刻蚀和等离子刻蚀之间，以物理上的溅 射刻蚀使薄膜表面清洁，从而促进等离子刻蚀的 化学反应进行。【特点】兼具各向异性和选择性优点（压力Torr，有效离化率 ） 其他高密度刻蚀（HDP）方式：低压和高有效离化率 （压力Torr，有效离化