第四章 无辐射跃迁.ppt

第五章 无辐射跃迁;第四章 回顾;第五章 主要内容;引言;;5.1 孤立发光中心的非辐射跃迁;当ΔR越大，F与C点的距离越近，越容易发生猝灭，也就是猝灭温度Tg越低。反之， ΔR越小，Tg越高。;;;;;5.1.1 弱耦合情况;;;图 A;;;;;5.1.1.1 Eu3+;5.1.1.2 Tb3+;5.1.1.3 Gd3+;;;5.1.2 中偶合与强耦合;;;;;结论：非辐射速率与A离子有关，同时也与B离子有关，B离子越小，猝灭温度越高;高量子效率和高猝灭温度的发光材料通常具有刚性很强的晶格，因此可以抵抗激发态的伸展运动，即ΔR尽可能的小;;宽带发射和小的ΔR;结论：ΔR越小，发光效率越高;但是，振动频率也扮演了重要角色;;含有三条曲线的位形坐标图表示的发光中心;Pr3+;5.2 效 率;;5.3 高能发射的最大效率;;5.4 光致电离和电子转移猝灭;;;;;5.5 半导体的非辐射跃迁;5.6 几个相关的术语;小 结