铜铟镓硒薄膜太阳能电池的研究现状及发展趋势.docVIP

铜锢掾硒薄膜太阳能电池 的研究现状及发展趋势 陈裕佳指导教师：杨春利 （西安建筑科技大学华清学院材料0904 01号） 摘要：介绍了薄膜太阳能电池结构、性能特点以及H前在研究和牛产过程屮铜 錮镣硒电池的制备方法；阐述了铜錮镣硒薄膜太阳能电池技术的优点，及其存 在的问题和未来的前景。 关键词：铜钢稼硒，太阳能电池，薄膜 Research Progress and Development Tendencyof Cu(ln, Ga)Se2(CIGS)Thin Film Solar Cells Chen Yu Jia tutor： Yang Chun Li (Xian Un iversity of Architecture and Tech no logy Huaqi ng College) Abstract： The constructions and performanee characteristics of thin film solar cells based on Cu(ln+Ga)Se2 are introduced, in eluding their fabrication and technological processes. A brief descripti on of tech no logical adva ntages, and the problem and prospect in the future on CIGS。 Keywords： Cu(ln, Ga)Se2, solar cell, thin film 1概述 第三代太阳能电池就是铜钢掾硒CIGS （CIS屮掺入Ga）等化合物薄膜太阳 能电池及薄膜Si系太阳能电池。 学术界和产业界普遍认为太阳能电池的发展已经进入了第三代。第一代为 单晶硅太阳能电池，第二代为多晶硅、非晶硅等太阳能电池，铜钢镣硒薄膜太 阳电池具有牛产成本低、污染小、不衰退、弱光性能好等显著特点，光电转换 效率居各种薄膜太阳电池之首，接近于晶体硅太阳电池，而成本只是它的三分 之一，被称为下一代菲常有前途的新型薄膜太阳电池，是近儿年研究开发的热 点。 此外，该电池具有柔和、均匀的黑色外观，是对于外观有较高要求场所的 理想选择。 小样品CIGS薄膜太阳能电池的最高转化效率2010年8月刷新为20.3%,由 徳国太阳能和氢能研究机构ZSW采用共蒸镀法制备。大面积电池组件转化效率 及产量根据各公司制备工艺不同血有所不同，一般在10%-15%范围内。 2铜锢稼硒薄膜太阳能电池的结构 铜钢稼硒太阳能电池是20世纪80年代后期开发出来的新型太阳能电池，其 典型结构为多层膜结构，色插金属栅电极AI/窗口层n+-ZnO/Jrt质结n型层i?ZnO/ 缓冲层或过渡层CdS/光吸收层CIGS/背电极Mo/玻璃衬底等。 CIGS作为吸收层是CIGS薄膜太阳能电池的关键材料。CIGS材料有优良的 光学性能，转换率很高，但是由于CIGS由四种元素组成，对元素配比皱感，由 于多元晶格结构、多层界面结构、缺陷以及杂质等的存在增加了制备技术的难 度，而且对设备的精度和稳定性要求较高，因此H前还没有实现大规模工业化 生产。 CIGS由CIS（铜钢硒）发展而来，CulnSe2属于一、三、六族化合物。它是由 二、六族化合物衍化而来，其屮第二族元索被第一族Cu与第三族仆取代而形成 三元素化合物，室温下CulnSe2的晶体结构为黃铜矿结构。 与二、六族化合物的闪锌矿结构类似，Cu和In原子规则地填人原来第二族 原子的位置。因此可以将该结构视为由两个面心立方晶格套构而成：一个为阴 离子Se组成的面心立方晶格，一个为阳离子（Cu、In）对称分布的面心立方晶格, 即阳离子次晶格上被Cu和In原子占据的几率各50%,这种晶格的c/a值一般约为 2。这种结晶结构的化合物在高温吋原子容易活动移位，尤其是Cu和In原子，此 吋两者不再有规则的排列，因血呈现立方结构。 CulnSe湘存在的化学组成区间为7%（mol）,这意味着即使偏离定比组成 （Cu： In： Se=1： 1： 2）-定程度，貝要化学组成仍在该区间内，该材料依然具 有黄铜矿结构以及相同的物理及化学特性。但是一旦偏离定比组成，材料屮将 会产牛点缺陷。而一，三、六族化合物的本征点缺陷如空位、间隙、错位种类 可达12种Z多，这些点缺陷会在禁带屮产生新能级，如同外加杂质一样影响材 料的光伏特性。 在CulnSe?基础上，掺杂Ga元索，使Ga取代部分同族的In原子构成CIGS。 通过调节Ga/（Ga+ln）可以改变CIGS的带隙，调节范围为1.04 eV到1.72 eV。 CIGS仍然是黄铜矿结构，具有CIS所有性能上的优点，且可灵活地调整和优化 禁带宽度。还可在膜厚方向调整G