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华中科技大学CMOS拉扎维第二章课后作业答案中文版 超 超大规模集成电路与系统研究中心 CMOS Analog Design Home work 1 Solution By: 张涛（tomjerry@126.com） 2021年3月18日 作业内容： 一、书本上的习题 2.2 2.5 (a)、(b)、(c) 2.6 (a)、(b) 2.7 2.15 2.8 2.18 2.24 参考解答过程 2.2. （1）对于NMOS，工作在饱和区时，有： ID?12unCOXWL(VGS?VTH)2(1??VDS) Gm??ID?V GS =unCOXWL(VGS?VTH)(1??VDS) =2unCOXWL(VGS?VTH)ID(1??VDS) ?2unCOXWL(VGS?VTH)ID（忽略沟长调制效应） 1 超 超大规模集成电路与系统研究中心 =3.66mA V ro?1?I=20k? D A=Gmro=73.3 （2）对于PMOS，公式基本同上 ID?12upCOXWL(VGS?VTH)2(1??VDS) Gm??ID?V GS = upCOXWL(VGS?VTH)(1??VDS) =2upCOXWL(VGS?VTH)ID(1??VDS) ?2upCOXWL(VGS?VTH)ID（忽略沟长调制效应） =1.96mA V ro?1?I=10k? D A=Gmro=19.6 2.5 a.若不考虑二级效应，则 IX?ID?12unCOXWL(VGS?VTH)2 = IX?ID?1W2unCOXL(VGS?VTH)2 实际情况下，由于衬偏效应会影响VTH VGS?VDD?VX VDS?VD?DV XVSB?VX VTH?VTH0??(2?F?VSB?2?F) 2 超 超大规模集成电路与系统研究中心 IX?12unCOXWL(VGS?VTH)2 ?12unCOXWL(VGS?VTH0??(2?F?VX?2?F)2 IX~VX曲线图 b. （1）当0〈VX〈1时， S、D反向 VGS?1.9?VX VDS?1?VX VGS-VTH=1.2-VX 〉VDS 此时，NMOS处于S、D方向的三极管区 IX??12unCOXWL??2(1.2?Vx)(1?Vx)?(1?Vx)2?? （2）当1〈VX〈1.2时， VGS-VTH=0.2VDS=VX-1 （未考虑衬偏效应） 此时，NMOS处于正向导通的三极管区 IX= 12unCOXWL??2*0.2(Vx?1)?(Vx?1)2?? （3）当VX ?1.2时 NMOS处于饱和区 IX?1unCOXW(VGS?VTH)22L = 1W2unCOX(0.2)2L 3 超 超大规模集成电路与系统研究中心 IX~VX曲线图 未考虑衬偏效应时的曲线 若考虑衬偏效应，则VTH增大，当衬偏效应比较小，反向后仍有VGSVTH， 曲线同上，当衬偏效应比较大时，VGS IX~VX曲线图 考虑衬偏效应时的曲线 （c） （1）0VGS-VTH=0.3-VX1unCOXW(0.3?Vx)2 2L（2）当VX 0.3 时，MOS管截止 4 超 超大规模集成电路与系统研究中心 IX~VX曲线图 考虑衬偏效应后，曲线与X轴的交点会该变位置 2.6 |VGS|=(VDD?VX)R1?R2R1 |VDS|=(VDD?VX) 所以|VDS||VGS|-|VTH| PMOS处于饱区 Ix?12upCOXW2L(|VGS?||VTH| p)2 =1W?(VDD?VX2upCOXL?)?R1?R2R1?|VTHp|??? Gm=2UpCoxWLID =upCOXW?(VDD?VX)L??R1?R2R1?|VTHp|??? ID~VX曲线图 5 感谢您的阅读，祝您生活愉快。