集成电路工艺原理未来趋势与挑战.pptxVIP

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2021-10-10 发布于重庆
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集成电路工艺原理未来趋势与挑战.pptx

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集成电路工艺原理;大纲 ;新型器件结构目前研发焦点 “无光源”纳米结构制备技术;1900;器件几何尺寸的减小直接导致： 1、减小寄生电容，由此减小MOSFET的开关时间减小功耗 2、增加单位面积晶体管的数量增强电路功能促成并行运算增大运算速度;集成电路特性的改善和成本的降低主要是通过晶体管几何尺寸持续不断地减小得以实现的。;Wakabayashi NEC;体硅MOSFET技术;;为什么需要新的晶体管结构?;;双栅 “FinFET”;;目前研发焦点: 如何增大驱动电流？;前端工艺中的一些关键技术;后???工艺中的一些关键技术;Graphene sheet;关键尺寸 100 nm;Ref：KLA Tencor;为什么“光刻”技术如此成功?;光刻基本要求 ;适用于小批量制备/制造的纳米级“光刻” 电子束曝光，EBL：Electron-Beam Litho 纳米压印， NIL：Nano-Imprint Litho “侧墙转移”，STL：Sidewall-Transfer Litho;EBL的特征和优点;EBL的分辨率 ;EBL分辨率的提高 ;NIL工艺流程和特征;NIL在大尺寸硅片上应用实例;;NIL制作的互连双大马士革结构。减少制作步骤。;;;;;;;;10 poly-Si lines Width=45 nm;Fin W=35 nm Fin H=27 nm L=70 nm;常规光刻技术和标准硅薄膜工艺技术的革新和结合对细线条而言，理论上 k1?0 Pitch的大小由常规光刻技术的分辨率决定常规光刻技术的使用保证了高产率;2n lines after n iterations of spacer lithography!;STL工艺中线条尺寸的控制;;Summary ;预祝考试成功！考试时间： 2010.07.09.下午1:30 – 3:30地点：Z2108教室答疑时间：10:00 – 14:30，2010.07.07地点：Z2307B （助教负责）