《半导体物理与器件》课程教学大纲.docxVIP

第 PAGE 1 页/共 NUMPAGES \* Arabic 2 页 《半导体物理与器件》课程教学大纲 课程编号总学时数：64 总学分数：4 课程性质：必修 适用专业：应用物理学 一、课程的任务和基本要求： 本课程是应用物理学专业的主干课之一。通过对本课程的学习，使学生在对量子理论有初步了解的基础上，进一步了解和掌握晶体中电子能量状态、电子运动规律及晶体中原子的热运动特点；从微观角度解释半导体的特性、半导体内部载流子的基本运动规律，掌握半导体物理特性的计算方法，分析和解决半导体有关问题；并介绍电子器件的工作原理和特性，了解电子器件的设计和制备方法。 二、基本内容和要求： 第一章 晶体结构和结合性质 晶体的结构、半导体的结合性质和晶格缺陷。 第二章 半导体中的电子状态 晶体中的能带、晶体中电子的运动、导电电子和空穴、常见半导体的能带结构、杂质和缺陷能级和重掺杂半导体。 第三章 电子和空穴的平衡统计分布 费米分布函数、载流子浓度答对费米能级的依赖关系、本征载流子浓度、非本征半导体的统计、简并情形的统计、费米能和化学势。 第四章 输运现象 电导和霍尔效应的分析、载流子的散射、电导的统计理论、磁阻。 第五章 非平衡过剩载流子 过剩载流子及其产生和复合、过剩载流子的性质、双极输运、准费米能级、、?过剩载流子的寿命、?表面效应。 第六章 pn结 pn结的基本结构及其能带结构、pn结电流、小信号模型、产生与复合电流、结击穿。 第七章 金属半导体和半导体异质结 肖特基势垒二极管、金属-半导体的欧姆接触、异质结。 第八章 双极晶体管 双极晶体管的工作原理、少子的分布、低频共基极电流增益、非理想效应、等效电路模、频率上限、大信号开关。 第九章 MOS场效应晶体管 双端MOS结构、电容-电压特性、MOSFET基本工作原理、频率限制特性、CMOS技术、MOSFET按比例缩小理论。 第十章 结型场效应晶体管 JFET概念、器件的特性、非理想因素、等效电路和频率限制、高电子迁移率晶体管。 第十一章 光器件 光学吸收、太阳能电池、光电探测器、光致发光和电致发光、光电二极管、激光二极管。 第十二章 半导体功率器件 功率双极晶体管、功率MOSFET、散热片和结温、半导体闸流管。 三、实践环节和要求： 无 四、教学时数分配： 理论： 64 实验： 无 上机： 无 其它： 教学内容 学时分配 教学内容 学时分配 第一章 晶体结构和结合性质 8 第七章 金属半导体和半导体异质结 3 第二章 半导体中的电子状态 10 第八章 双极晶体管 4 第三章 电子和空穴的平衡统计分布 4 第九章 MOS场效应晶体管 5 第四章 输运现象 7 第十章 结型场效应晶体管 2 第五章 非平衡过剩载流子 7 第十一章 光器件 4 第六章 pn结 6 第十二章 半导体功率器件 4 合计 64 五、其它项目（含课外学时内容）：无 六、有关说明： 1、教学和考核方式： 本课程属必修考试课，考核方式为闭卷。 2、习题：每一章理论教学结束后，安排习题课，再布置2-5道课后习题。 3、能力培养要求： 通过本课程的教学，力图使学生清楚地理解半导体器件的工作原理、特性参数以及基本的设计方法。 4、与其它课程和教学环节的联系： 先修课程和教学环节：量子力学，固体物理学 后续课程和教学环节： 平行开设课程和教学环节： 5、教材和主要参考书目： （1）教材：《半导体物理与器件》（第三版） ? （美）尼曼著 赵毅强等译著 （2）主要参考书目： ①《半导体器件物理基础》 施敏 苏州大学出版社出版社 2002 ②《半导体器件物理》 刘树林 电子工业出版社 2005