大功率同步整流升压芯片外置MOS高效率实测数据12V5A8A整理.pdfVIP

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2021-10-23 发布于福建
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大功率同步整流升压芯片外置MOS高效率实测数据12V5A8A整理.pdf

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版本： RAV2.0 因电子产品应用及元器件的差异兼容性测试条件应用环境等各昱灿电子有较大差异，故本测试结果及示列电路只供代表性应用参考，非保证批量生产之设计 . 请以亲自测试确认为准，我司不对各应用参数担责。请在设计时充分考虑各项因素保证安全及可靠性之设计 DEMO BOARD TEST REPORT 。产品型号： YB2486 封装 / 脚位图 : QFN3*3-16L Vin: 2.7-30V 外置 MOS 高效率大电流同步升压芯片 vout: MAX 30V 技术支持李工输出空载电压 : 静态电流 : 输入电压输入电流〕输出电压输出电流 η效率温度 ( 持续工作 5 分钟 ) Vin 〔V 〕 Iin 〔mA〕 Vout 〔V〕 Iout 〔mA〕 % IC MOS 电感二极管 3 4510 12.3 1000 90.91% 3.71 11510 12.32 3000 86.55% 6.01 10980 12.31 5000 93.27% 7.54 1720 12.3 1000 94.84% 7.54 3370 12.3 2000 96.81% 7.51 14350 12.34 8000 91.60% 3.72 7680 24.8 1000 86.81% 6 9040 24.8 2000 91.45% 7.62 10580 24.9 3000 92.66% 9.02 2990 24.8 1000 91.95% 9.04 5840 24.8 2000 93.95% 9.18 10150 24.9 3500 93.53% 12 2260 24.8 1000 91.45% 11.99 4390 24.8 2000 94.23% 11.98 6560 24.9