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半导体芯片制造工考试试题 半导体芯片制造高级工考试试题 ? 一、填空题 ? 1.禁带宽度的大小决定着（ 电子从价带 跳到导带）的难易，一般半导体材料的禁 带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流 子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等 的干扰而产生变化。 ? 2.硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀 液。砷化镓片用（硫酸 ）系、氢氧化氨 系蚀腐蚀液。 ? 3.铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的 方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实 现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生 成一层（氧化物 ），它们阻挡了铝原子 之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围 的间距。 ? 4.在半导体制造工艺中往往把减薄、划片、 分片、装片、内引线键合和管壳封装等一系 列工艺称为（组装 ）。 ? 5.钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又 可分为（导电胶粘接 ）、（银浆烧 结）等。 ? 6.金丝球焊的优点是无方向性，键合强度 一般（大于）同类电极系统的楔刀焊接。 ? 7.芯片焊接质量通常进行镜检和（剪切强 度）两项试验。 ? 8.如果热压楔形键合小于引线直径1.5倍 或大于3. 0倍，其长度小于1. 5倍或大于 6. 0倍，判引线键合（不合格 ）。 ? 9.钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛 控制、温度控制和密封腔体内（湿度）控 制。 ? 10外壳设计包括电性能设计、热性能设计 和结构设计三部分，而（可靠性）设计 也包含在这三部分中间。 ? 11.厚膜混合集成电路的基片种类很多，目 前常用的有：氧化铝陶瓷， （氧化 铍陶 瓷），氮化铝（A1N）陶瓷。 ? 12.微波混合集成电路是指工作频率从 300 MH" 100 kMHz的混合集成电路，可分为分 布参数微波混合集成电路和（集总参 数）微波混合集成电路两类。 ? 13.外延层的迁移率低的因素有原材料纯度 （不够）；反应室漏气；外延层的晶体（质 量差）;系统沾污等；载气纯度不够；外延 层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。 ? 14.离子注入杂质浓度分布中最重要的二个 射程参数是（平均投影射程 ）和 （ 平均投影标准差 ）。 ? 15、二氧化硅的制备方法很多，其中最常用 的是高温（氧化 ）、（气相 ）淀积、 PECVD淀积。 ? 16、半导体集成电路生产中，元件之间隔离 有（ Pn结介质）（Pn结隔离 ）（Pn 结介质混合 ）隔离等三种基本方法? ? 17、最常用的金属膜制备方法有（电阻 ） 加热蒸发、（ 电子束）蒸发、（溅 射 ）。 ? 18、热分解化学气相淀积二氧化硅是利用 （含有硅的化合物 ）化合物，经过热分 解反应，在基片表面淀积二氧化硅。 ? 19杂质原子在半导体中的扩散机理比较复 杂，但主要可分为（替位 ）扩散和（间 隙）扩散两种。 ? 20半导体材料可根据其性能、晶体结构、 结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是 根据其化学组成可分为（元素）半导体、 （化合物）半导体、固溶半导体三大类。 ?延生长方法比较多，其中主要的有（ 化学 气相）外延、（液相 ）外延、金属有 机化学气相外延、（分子束）外延、原子 束外延、固相外延等。 ?气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（ 完 整）性、（成品）率，并影响其电学性 能和（可靠性 ）性，所以半导体芯片制 造工艺需在超净厂房内进行。 ?二、判断题 ? 1. 双极晶体管中只有一种载流子（电子或 空穴）传输电流。（F ） ? 2. 逻辑电路只能处理“非0即1 “这两个 值。（T ） ? 3. 晶体的特点是在各个晶向上的物理性 能、机械性能、化学性能相同。 （ F ） ? 4. 门阵列的基本结构形式有两种：一种 是晶体管阵列，一种是门阵列。（T ） ? 5. 晶体的特点是在各不同晶向上的物理 性能、机械性能、化学性能都相同。（F）。 ? 6. 目前在半自动化和自动化的键合机上 用的金丝或硅铝丝都是经生产厂家严格处 理包装 后销售，一般不能再退火，一经退 火反而坏了性能。（T ） ? 7. 退火处理能使金丝和硅铝丝的抗断强 度下降。（T ） ? 8 设置的非破坏性键合拉力通常为最小 键合强度的50%。（ F ） ? 9. 钯.银电阻的烧结分预烧结、烧结、 降温冷却三个阶段。（T ） ? 10.厚膜元件材料的粉末颗粒越小、表面形 状謦复杂，比表面积就越大，则表面自由能 也就越高，对烧结越有利。（T ） ? 11 ?厚膜浆料属于牛顿流体，因此其粘度 属于正常黏度。（F ） ? 12.厚膜浆料存在触变性，流体受到外力作 用时黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速 恢复原状。（T ） ? 13.丝网印刷膜的厚度不随着刮板移动速度 的增加而减小。 （F ） ? 14. 在半导体中掺金是为了使非平衡载流 子的寿命增加。 （ F ） ? 15. 可靠性筛选可以剔除早期失效的产 品。（T ） ?