- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
【学术型】
080900电子科学与技术
方向
01(全日制)物理电子学
02(全日制)电路与系统
03(全日制)微电子学与固体电子学
04(全日制)电磁场与微波技术
考试科目
(1) 思想政治理论
(2) 英语一
(3) 数学一
(4) 804材料科学基础 或 810电路 或 812固体物理 或 815信号与系统(含数字信号处理) 或 822普通物理学 或 849半导体物理与器件
复试科目
电子科学与技术系含01、02、03、04方向,复试科目在以下科目中任选一门:电磁场理论或光电子学或电介质物理或半导体物理;微电子学院含02、03方向,复试科目:CMOS集成电路设计,要求初试时选择849科目;信息与通信工程系含04方向,复试科目在以下科目中任选一门:电磁场与波或通信原理,要求初试时选择815科目
电子科学与技术
849半导体物理与器件:(微电子学院)
半导体中的电子状态
半导体中杂质和缺陷能级
半导体中载流子的统计分布
半导体的导电性
非平衡载流子
金属和半导体接触
半导体表面和MIS结构
异质结的基础概念
半导体的光学性质
霍耳效应
PN结
MOSFET直流特性
小信号模型
短沟道效应(小尺寸效应)
CMOS集成电路设计考试范围:
(CMOS数字集成电路)
CMOS反相器的静态特性和动态特性,反相器功耗;
CMOS传输门;
CMOS组合逻辑电路;
CMOS时序逻辑电路(RS触发器、锁存器、边沿触发的D触发器);
动态CMOS逻辑电路(预充电-求值(PE)逻辑、多米诺逻辑);
数字集成电路连线模型、延时、寄生参数;
数字集成电路设计流程、设计方法
(CMOS模拟集成电路)
单级放大器、差动放大器、无源与有源电流镜;
运算放大器结构与设计;
模拟集成电路中的反馈;
放大器的频率特性与频率补偿
085209集成电路工程 (微电子学院)
考试科目
思想政治理论
英语二
数学二
910 CMOS集成电路设计
复试科目
半导体物理与器件
硕士生考试科目
910 CMOS集成电路设计 考试范围:
(CMOS数字集成电路)
CMOS反相器的静态特性和动态特性,反相器功耗;
CMOS传输门;
CMOS组合逻辑电路;
CMOS时序逻辑电路(RS触发器、锁存器、边沿触发的D触发器);
动态CMOS逻辑电路(预充电-求值(PE)逻辑、多米诺逻辑);
数字集成电路连线模型、延时、寄生参数;
数字集成电路设计流程、设计方法
(CMOS模拟集成电路)
单级放大器、差动放大器、无源与有源电流镜;
运算放大器结构与设计;
模拟集成电路中的反馈;
放大器的频率特性与频率补偿
硕士生考试复试科目
半导体物理与器件、
半导体中的电子状态
半导体中杂质和缺陷能级
半导体中载流子的统计分布
半导体的导电性
非平衡载流子
金属和半导体接触
半导体表面和MIS结构
异质结的基础概念
半导体的光学性质
霍耳效应
PN结
MOSFET直流特性
小信号模型
短沟道效应(小尺寸效应)
原创力文档


文档评论(0)