半导体掩膜版研发中心建设项目可行性研究报告.docxVIP

精品word word可编辑 . 精品word 2021年半导体掩膜版研发中心建设工程可行性争辩报告 2021年7月 目 录 TOC \o 1-5 \h \z \u 一、工程概况 3 二、工程实施的必要性 3 1、本工程的实施有利于公司在半导体掩膜版领域进一步实现技术突破 3 2、本工程的实施有利于公司在平板显示掩膜版领域保持技术领先 5 3、打破国外技术垄断，自主研发势在必行 5 三、工程实施的可行性 6 1、深厚的技术积累为工程的实施供给技术保障 6 2、持续的研发投入为工程的实施供给资金保障 7 3、完善的研发机制和优秀的研发团队为工程的实施供给坚实根底 8 四、工程投资概算 8 五、工程实施进度支配 9 六、工程环保状况 9  研发中心建设工程将引进先进的研发设备并培育优秀的技术人才，针对半导体掩膜版制造技术争辩与开发、新型显示用掩膜版制造新技术争辩与开发、掩膜版制造技术根底与前沿争辩、高精度掩膜版制造过程仿真模拟争辩等多项行业前沿技术进行争辩与开发，同时改进现有工艺对量产产品供给技术支持。研发中心工程的建设将显著提高公司的整体研发实力和研发团队水平，为公司将来的持续进展供给内生动力。 一、工程概况 工程总投资额为3,446.95万元。公司拟新建研发中心，用于公司现有试验条件升级以及新课题的研发。工程实施完成后将显著优化公司的研发环境，为高精度半导体掩膜版与大尺寸平板显示掩膜版扩产工程供给有力支持；同时公司将在半导体掩膜版制造技术争辩与开发、新型显示用掩膜版制造新技术争辩与开发、掩膜版制造技术根底与前沿争辩、高精度掩膜版制造过程仿真模拟争辩等多项行业前沿技术进行前瞻性争辩与开发，进一步提高公司的研发力量和自主创新力量。 二、工程实施的必要性 1、本工程的实施有利于公司在半导体掩膜版领域进一步实现技术突破 在半导体掩膜版领域，国内大陆半导体掩膜版生产企业主要集中少数企业和局部科研院所，绝大局部集中在130nm及以上制程节点Stepper Mask，90nm及以下制程节点掩膜版仍根本依靠进口，而目前我国已投产及在建的90nm及以下制程节点的晶圆产线超过30条，其掩膜版需求量还有较大缺口。因此，国内掩膜版厂商亟需在90nm及以下制程节点的半导体掩膜版领域实现技术突破。 公司始终致力于为我国半导体产业供给关键上游原材料的国产化配套，不断攻克半导体芯片掩膜版的核心技术。目前公司已实现250nm制程节点半导体掩膜版量产，满足先进半导体芯片封装、半导体器件、先进指纹模组封装、高精度蓝宝石衬底〔PSS〕等产品应用。同时，公司通过自主研发，已把握180nm/150nm节点半导体掩膜版制造核心技术并积累了肯定的技术成果。 为不断地提高研发实力，加强根底性争辩，实现公司技术储藏与积累，公司拟新建研发中心，本工程在半导体领域研发课题的主要方向之一，是可应用于130nm/110nm/90nm/65nm等节点半导体掩膜版及相移掩膜版的生产制造，可满足微处理器、电源管理芯片、模拟芯片、功率分立器件、DRAM、Nor-Flash 等产品的需求，研发成果的实现有利于提升我国掩膜版制造技术水平，填补国内半导体掩膜版领域的市场空白。 综上，研发中心的建成有利于公司实现技术突破，符合半导体掩膜版技术向高精度进展的主流趋势，进而有助于提升公司的核心竞争力。 2、本工程的实施有利于公司在平板显示掩膜版领域保持技术领先 在大尺寸平板显示掩膜版领域，公司拥有国内首条G11超高世代掩膜版生产线，是目前我国唯一一家拥有显示领域最完整掩膜版产线的企业，公司的生产产线可全面掩盖G2.5-G11掩膜版，处于国际先进水平。公司也是国内首家突破高精度半色调掩膜版制造技术、光阻涂布技术行业前沿技术的掩膜版企业。 基于公司在平板显示掩膜版领域的技术积累，公司拟进一步在不同类型超高精度平板显示掩膜版的制造开放技术研发，包含高精度二元掩膜版〔Binary Mask〕、半色调掩膜版，灰阶掩膜版、相移〔Phase Shift〕掩膜版等，可满足柔性AMOLED、高精度Micro-LED、QD-LED 等产品需求。研发工程旨在满足新型平板显示技术进展要求，匹配下游平板显示行业的技术进展趋势。 综上，研发中心的建成有利于保持公司在平板显示领域掩膜版技术的领先性，满足新型平板显示进展要求，优化产品结构，提高公司的市场占有率，有利于公司的长远进展。 3、打破国外技术垄断，自主研发势在必行 掩膜版是半导体及平板显示制造的关键上游原材料之一，而目前半导体及平板显示用掩膜版的尖端制造技术主要由美国福尼克斯、日本HOYA、SKE 等国外领先企业把握，并对相关关键技术进行了较为严格的封锁，导致我国高端掩膜版长期依靠进口。半导体及平板显示