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PAGE PAGE 1 参考单元替换方法、装置及存储介质与流程 1.本发明涉及存储芯片技术领域，尤其涉及一种参考单元替换办法、装置及存储介质。背景技术：2.非易失性存储芯片的读电路可以用于比较存储单元和参考单元的电流大小，从而推断存储单元的数据是否正确；然而随着存储芯片的用法，参考单元会渐渐老化，产生的电流会有偏差，简单导致存储芯片读错，降低存储芯片的牢靠性。技术实现要素：3.以下是对本文具体描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的庇护范围。4.本发明实施例提供了一种参考单元替换办法、装置及存储介质，在擦除操作的过程中对参考单元举行测量和替换，从而保证参考单元的性能，提高存储芯片的牢靠性。5.第一方面，本发明实施例提供了一种参考单元替换办法，包括：接收擦除操作命令；6.测量参考单元的输出电流，当所述参考单元的输出电流与所述参考单元的设计电流不同，对所述参考单元执行替换操作；7.按照所述擦除操作命令执行擦除操作。8.本发明实施例提供的参考单元替换办法，起码具有如下有益效果：当接收到擦除操作命令，存储芯片执行擦除操作之前，对参考单元的举行检测，并对浮现问题的参考单元举行替换，可以有效解决参考单元随着存储芯片的用法时光增长而逐渐失效的问题，提高存储芯片的牢靠性；另一方面，相对于读写操作来说，擦除操作花费的时光较长，因此挑选在擦除操作前举行参考单元检测，可以避开检测过程对存储芯片的读写速度的影响。9.在一些实施例中，所述测量参考单元的输出电流，包括：10.按照参考单元的地址信息选取其中一个参考单元；11.猎取选取的参考单元的输出电流。12.在一些实施例中，还包括：13.每测量完一个参考单元，从当前参考单元切换到下一个参考单元举行测量。14.在一些实施例中，所述从当前参考单元切换到下一个参考单元举行测量，包括：15.将当前参考单元的地址递增，使当前地址指向下一个参考单元的地址。16.在一些实施例中，所述对所述参考单元执行替换操作，包括：17.确定起码一个替换单元可用于执行替换操作；18.选取一个可用的替换单元对所述参考单元执行替换操作。19.在一些实施例中，所述选取一个可用的替换单元对所述参考单元执行替换操作，包括：20.当所述参考单元未被替换过，按照选取的替换单元编程替换信息；21.当所述参考单元已被替换过且没有可用于替换的所述参考单元的替换单元，返回错误报告。22.在一些实施例中，所述对所述参考单元执行替换操作，还包括：23.存储替换信息。24.在一些实施例中，在测量参考单元的输出电流之后，还包括：25.猎取所述参考单元的设计电流；26.将参考单元的输出电流和所述参考单元的设计电流输入到比较器电路。27.其次方面，本发明实施例还提供了一种参考单元替换装置，包括起码一个处理器和用于与所述起码一个处理器通信衔接的存储器；所述存储器存储有能够被所述起码一个处理器执行的命令，所述命令被所述起码一个处理器执行，以使所述起码一个处理器能够执行如第一方面所述的参考单元替换办法。28.第三方面，本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行命令，所述计算机可执行命令用于使计算机执行如第一方面所述的参考单元替换办法。29.本发明的其它特征和优点将在随后的解释书中阐述，并且，部分地从解释书中变得自不待言，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在解释书、权利要求书以及附图中所特殊指出的结构来实现和获得。附图解释30.附图用来提供对本发明技术计划的进一步理解，并且构成解释书的一部分，与本发明的示例一起用于说明本发明的技术计划，并不构成对本发明技术计划的限制。31.图1是本发明实施例提供的参考单元替换办法的整体流程图；32.图2是本发明实施例提供的测量参考单元的输出电流的办法流程图；33.图3是本发明实施例提供的对参考单元执行替换操作的流程图；34.图4是本发明实施例提供的选取一个可用的替换单元执行替换操作的办法流程图；35.图5是本发明实施例提供的对设计电流和输出电流举行比较的办法流程图；36.图6是本发明示例提供的参考单元替换办法的整体流程图；37.图7是本发明示例提供的测量并替换参考单元的详细办法流程图；38.图8是本发明示例提供的参考单元替换办法的详细流程图；39.图9是本发明实施例提供的参考单元替换装置的模块衔接暗示图。详细实施方式40.为了使本发明的目的、技术计划及优点越发清晰明了，以下结合附图及实施例，对本发明举行进一步具体解释。应该理解，此处所描述的详细实施例仅用以说明本发明，并不用于限定本发明。41.本发明实施例提供了一种参考单元替换办法、装置及存储介质，在